Wybór punktu pracy. Punkt pracy Q jest określany przez I_C i U_CE .Dobór PP :wzmocnienie, rezystancja wej i wyj, zniekształcenia, szumy i inne. Punkt pracy rys1:

Ograniczenia w doborze pracy tranzystora rys2:

Gdzie : dla wzmacniaczy mało sygnałowych PP dobiera się w obszarze ograniczonym od A do E. Poniżej linii A występuje obszar odcięcia tranzystora. Powstaje tam zniekształcenia nieliniowe. W lewo od B występuje obszar nasycenia. Też zachodzą zniekształcenia nieliniowe, wynikające z nieliniowości ch-ki wyj tranzystora. Powyżej linii C(I_CQ>I_Cmax) występuje zagęszczenie ch-tyk, co oznacza, że jednakowym przyrostom prądu bazy odpowiadają coraz mniejsze przyrosty prądu kolektora. To także skutkuje zniekształceniami nieliniowymi. Poza D obszar przekroczenia dopuszczalnego, wydziela się ciepło(strata mocy), co może prowadzić do uszkodzenia tranzystora. Ograniczenie linią E jest związane z niebezpieczeństwem przebiciem złącza ze względu na przekroczenie dopuszczalnego dla tranzystora napięcia U_CEmax).

Ograniczenia dla U_CEQ : U_CEmax-U_cem>U_CEQ>U_CEmin-U_cem gdzie: U_cem -przewidywalna wartość amplitudy napięcia zmiennego syg. wyj. U_CEmax-wynika z obszaru przebicia U_CEmin-wynika z obszaru nasycenia. Dla I_CQ>I_cm/k_z k to współczynnik zapasu(0,7-0,9),

I_cm-przewidywana wartość amplitudy prądu zmiennego syg wyj

Liniowe układy zasilania tranzystorów bipolarnych Przed układem zasilania tranz stawia się wymagania 1)ustawić PP w ch-k wyjściowych 2)stabilizować jego położenie. Najczęściej korzysta się :

R1 R2 tworzą dzielnik napięcia E_c, ustawiają napięcie na bazie. I_c musi być 0,7Vdla tranz krzemowych. R_E wpływa na PP(punkt pracy) i stabilizuje go, realizuje ujemne sprzężenie zwrotne. Dla ułatwienia korzysta się z układu dwu bateryjnego ze sprzężeniem emiterowym: musi być spełnione: 1) E_B=(R2/(R1+R2))E_c

2) R_B=R1||R2 . Przy analizie korzystać ze stycznej prostej obciążenia:

Analizujemy dwu bateryjny ze sprzężeniem emiterowym :

1)drugie prawo Kirchoffa E_B=I_BR_B+U_BE+I_ER_E i E_C=I_CR_C+U_CE+I_ER_E 2)związki miedzy prądami I_E=I_C+I_CB0/α i I_B=((1-α)/α)I_c-I_CB0 oraz α=β/β+1 otrzymujemy: U_CE=E_C+I_CB0R_E-I_C(R_C+R_E) , żeby punkt pracy nie zmienił się trzeba zachować stałość U_BE,I_CB0,β ale one zmieniają się pod wpływem temp.

Wpływ temp na parametry tranzystora:

Drugim istotnym czynnikiem na stałość Punktu Pracy jest rozrzut produkcyjny tranz .Dla BC108B (I_C=2mA U_CE=5V t=25C) mamy U_BE min-0,55 śr-0,62 max-0,7; I_CB0 śr-0,1 max-10

Β min-200 śr-290 max-400. Wzór na niestałość prądu kolektora ΔI_c :
, gdzie S to współczynniki wrażliwości I_C :

Im większe R_E tym wrażliwość osiąga min. Wzory na wyznaczenie parametrów:
, ,,

3.3Nieliniowe układy zasilania tranzystorów dipolowych: wykorzystuje się w nich elementy nieliniowe: termistory, diody i tranzystory.

1.Temp rośnie to I_C też to R_T maleje i U_BE: 2. Temp rośnie to I_C rośnie , ale napięcie na diodach spolaryzowanych w kierunku przewodzenia maleje i U_BE maleje: 3.Temp rośnie, I_D rośnie I_B maleje:

3.4Ukadłady zasilania tranzystorów polowychObszar pracy tranz polowego jest inny nic dipolowy co wynika z wykresów:

Różnice: Dla tranz bipolo U_BE dobiera się w zakresie napięć dodatnich aby spolaryzować złącze baza-emiter w kierunku przewodzenia

i wymusić odpowiednią wartość prądu bazy, a przez to kolektora. Tranz polowy jest sterowany napięciowo i dopuszczalne U_GS jest napięciem ujemnym. Inne są układy. Polowe podlegają o wiele większej rozrzutności produkcyjnej. Przez to dobiera się elementy pod kątem min wpływu rozrzutności na stabilizacje punktu pracy.

Przykładowe układy tranzystora dipolowego:

a-symetryczny ze sprzężeniem emiterowym

b-dwu bateryjny ze sprzężeniem emiterowym

c-układ ze stałym prądem bazy i sprzężeniem emiterowym

d-ze sprzężeniem kolektorowym i emiterowym

Przykładowe układy tranzystora polowego:

a-układ dwu bateryjny b-automatyczną polaryzacją

c-dwu bateryjny ze sprzężeniem źródłowym

d-potencjometryczny ze sprzężeniem źródłowym

Ge

Si

I_CB0

---