Image108

Podczas wyłączania tranzystora T5 ładunek gromadzony w jego bazie jest rozładowywany przez przewodzący jeszcze tranzystor T3, tak więc czas wyłączenia tranzystora T5 zmniejsza się — co wpływa na skrócenie czasu przełączania stopnia wyjściowego, a zatem i na skrócenie impulsu prądowego. Fakt ten wpływa na zmniejszenie poboru mocy, zależnego od częstotliwości przełączania bramki.

Przełączanie bramki występuje przy napięciu około 1,2 V. Wejściowe napięcia ujemne obcinane są na poziomie ok. — 0,4 V.

Rys. 4.40. Charakterystyki wejściowe h ~ f(Ui) bramki S00 dla różnych wartości napięcia zasilania

Rys. 4.41. Charakterystyki wyjściowe Iol — KUol) bramki S00 dla różnych wartości napięcia zasilania

Na rysunku 4.40 przedstawiono charakterystyki wejściowe, a na rys. 4.41 charakterystyki wyjściowe bramki (w stanie obciążenia N = 10 wartość napięcia wyjściowego nie przekracza 0,5 V). Rysunek 4.42 ilustruje zależność czasu propagacji sygnału wejściowego od pojemności obciążenia.

a

Rys. 4.42. Charakterystyki dynamiczne bramki S00

*0 *pLH ¹ *pRL ~ A^Ci)>

b) schemat układu pomiarowego

~oUcc

T

Jl

Układy TTL z diodami Schottky’ego mają następujące zalety:

—    dwukrotnie mniejszy czas propagacji w porównaniu z układami z serii H i trzykrotnie mniejszy w porównaniu z układami z serii TTL — standardowej,

—    mniejszy pobór mocy wydzielanej podczas przełączania, co powoduje, że całkowita moc tracona może w niektórych układach z serii S być mniejsza niż w układach z serii standardowej,

—    obcinanie napięć ujemnych na poziomie — 0,3 V, co skuteczniej eliminuje przepięcia niż w układach z serii standardowej.

118