w. Ci^zymki r.l.EKTRONIKA W ZADANIACH
Czfić 2. Aiuliza wpływu Troinn temperatury dr pracę układów półprzewodnikowych
Prąd pobierany ze źródła zasilania będzie równy:
_<W,-"DZ 15 V -6,2 V
R lkii
Odpowiada temu prąd diody stabilizacyjnej fa7. = 6.8 mA i wydzielana na lej diodzie moc Pozma% = 6,8 mA • 6,2 V = 42 mW. Moc rozpraszana na rezystancji szeregowej R jest wtedy także największa i wynosi pRmax = 8,8 mA • 8.8 V = 77 mW
Na zakończenie zwróćmy uwagę na to. że oprócz wartości napięcia U be i jego współczynnika temperaturowego nic wykorzystaliśmy innych (celowo podanych w nadmiarze) danych dotyczących tranzystora. W tym układzie mają one wpływ tylko na rozpływ prądu emitera pomiędzy kolektor i bazę tranzystora, a to nie ma dla nas znaczenia.
Ad 2. Rezystancje dynamiczne rBE i rDz zaznaczono na rysunku 2.13.2 linią punktową. Ze schematu wynika, że uwzględnienie rezystancji dynamicznej rBt mogłoby polegać na odpowiednim zmniejszeniu wyliczonej rezystancji R2 do wartości R2' takiej, żc R2 = R2 + rB£. Natomiast uwzględnienie rezystancji dynamicznej rpz powoduje, że uzyskane powyżej wyniki są bezwartościowe. Napięcie na diodzie stabilizacyjnej Uoz. a więc i napięcie odniesienia staje się teraz zależne od napięcia zasilającego i jego pełna kompensacja temperaturowa musiałaby prowadzić do nieco innych wyników dla każdej wartości Uzas-
IIS• $1:W0&; :uopi>i
wzrtit^npojemności. pła^gohp'.; dryft zera (zmiany ptinkiow pracy w stanic bez sygnału wejściowego) w pierwszym stopniu wzmocnienia wywołany zmianą temperatury otoczenia • pttteno>i iię ;iva; ; koIcjńć$j:6pai^^
Dla tranzystora krzemowego T pracującego w stanic aktywnym w układzie jak na rysunku 2.14.1 przyjąć, że w temperaturze T0 = 300 K:
- spadek napięcia Use nie zależy od wartości prądu bazy Ib i wynosi 0,7 V;
- prąd zerowy Icbo jest bardzo mały i może być pominięty;
- współczynnik wzmocnienia prądowego w
układzie wspólnego emitera = 50. Rys. 2.14.1
Przy zmianach temperatury otoczenia w zakresie kilkudziesięciu stopni można
przyjąć, że:
- spadek napięcia U be maleje o 2,5 mV przy wzroście temperatury o 1 K;
- przyrost prądu zerowego AIcbo jest bardzo mały i może być pominięty;
- współczynnik wzmocnienia (3 przy wzroście temperatury o 1 K rośnie o I % swojej wartości w temperaturze To.
Przy powyższych założeniach należy wyznaczyć współczynnik temperaturowy napięcia zasilającego L\ przy którym prąd / pobierany z tego źródła nie zależy od temperatury.
Rozwiązanie 1
Przy oznaczeniach jak na rysunku możemy dla przyjętych założeń obliczyć wartości prądów w temperaturze T0:
h = U8L/R2 = 700 mV / 500 ft = 1,4 mA, oraz /, = (U - UBE)/Rł = (1,5 V - 0,7 V) / 500 n = 1.6 mA czyli = /, - /2 = 1,6 mA -1,4 mA = 0.2 mA. oraz
U: = (3 ■ IB = 50 • 0,2 mA = 10 mA
Interesujący nas prąd I pobierany ze źródła zasilania wyraża się zależnością:
/ = /i+/c =
(2.14.1)
i ma wartość / = lt + Ic = 1,6 mA +10 mA = 11,6 mA.
W tym miejscu zauważmy, żc dla stałego napięcia zasilającego U przy' wzroście temperatury wobec zmniejszania się wartości napięcia U be - prąd Ii rośnie, a h maleje. Z tych dwu powodów rośnie prąd bazy /« = //- h» a ponieważ rośnie także współczynnik wzmocnienia (3, tym silniej rośnie wartość prądu kolektora Ic. Widać więc wyraźnie, że aby prąd / = // + lc mógł przy wzroście temperatury pozostać stały, napięcie zasilające musi się zmniejszać. Poniżej spróbujemy ocenić wartość liczbową współczynnika temperaturowego tego napięcia.
W równaniu (2.14.1) zmiennymi zależnymi od temperatury są U, Ube i fi, czyli mamy:
1 = KU, Ube,P)