440

A HibUl. IM1U.1 ,Vv»«    --u, r ), buui :uO

ISBN D4H1II ł-7. © l>. »N TOS >«}

440    U KINETYKA I MECHANIZM REAKCJI CHEMICZNYCH

Ry*. 14.15. Krzyw* tcrmosrawimctryczna przedstawiająca zmiany many próbki szczawianu wapnia CatCOOh w czasie ogrzewania

W użyciu rozpowszechnione są przyrządy zwane derywatografami. za pomocą których przeprowadza się równocześnie termiczną analizę różnicową i analizę termograwi metryczną tej samej próbki.

14.9 2 ROZKŁAD CIAŁ STAŁYCH

W licznych przypadkach, np. w czasie odwadniania świeżo przygotowanych kryształów ałunu AI-(SO«h K.-S0₄ 2411.0. reakcja rozkładu początkowo odbywa się z bardzo małą szybkością. Szybkość jej zaczyna wzrastać dopiero po upływie pewnego czasu zwanego okresem indukcji. Krzywa na rys. 14.16a ilustruje schematycznie laki właśnie przebieg rozkładu ciała stałego w stałej temperaturze. Okres indukcji to okies, w którym tworzą się zarodki nowej, odwodnionej fazy na powierzchni kryształów. Takie zarodki rosną na skulck lego. że odwodnienie subslralu następuje na powierzchni granicznej pomiędzy substratem a produktem. Powierzchnia ta początkowo jest mała zarówno ze względu na małą jeszcze liczbę zarodków, jak i ze względu na ich mikroskopowe rozmiary. W rezultacie początkowa szybkość reakcji jest mała. Rośnie ona, w miarę jak zwiększa się liczba zarodków oraz ich rozmiary. Po pewnym czasie sąsiadujące zarodki zaczynają się łączyć z sobą i wytwarza się powierzchnia graniczna subslral/produkt wzdłuż całej powierzchni kryształu. Jeżeli szybkość usuwania gazowego produktu, pary wodnej, jest du/a. lo o szybkości całego procesu decyduje leraz tylko szybkość przesuwania się powierzchni granicznej. Na jednostce tej powierzchni ulega w jednostce czasu rozkładowi laka sama ilość ałunu. O szybkości w danej chwili decyduje zatem wielkość powierzchni granicznej.

Okres indukcji można często wyeliminować całkowicie. W przypadku ałunu mechaniczne uszkodzenie powierzchni kryształu, np. przetarcie jej papierem ściernym, powoduje powstanie tak dużej ilości zarodków nowej fazy, że już w pierwszych chwilach tworzy się powierzchnia graniczna substrai/produkl na całej geometrycznej powierzchni krystalitów Przebieg rozkładu w takim przypadku ilustruje rys. I4.l6b