Obraz (2642)

Obraz (2642)



16

Z równania (3.8), przy wykorzystaniu zależności (2.7) i (2.8) podanych w rozdz. 2, otrzymujemy również entropię solwatacji:

(3.9)


as = BMili =    . i. m

\ 3T    8rtK0rf e? d7~

ora;, kolejno entalpię solwatacji:

A//,, I AG, + TAS,11 {zfrSA (i 1 8 r.r.0r. V


T dr., \ £? ' dTj


(3.10;


Wy.\oć Borna jest znacznym uproszczeniem zagadnienia, jednak często słuz> ;akc kryterium wstępne dla porównywania oddziaływań solwatacyjnych w różnych rozpuszczalnikach. Uproszczenie to zawarte jest w założeniu, że przenika.:;ość elektryczna rozpuszczalnika w bezpośrednim otoczeniu jonu ma :ę samą wartość, co w czystym rozpuszczalniku.

rzeczywistości rozpuszczalniki mają swoją strukturę, w której 1 obok cząsteczek słabo związanych z jonem - są i takie, które są z nim silnie związane właśnie poprzez solwatację. Liczba cząsteczek rozpuszczalnika powiązanych w ten sposób z jonem nosi nazwę liczby solwatacji (hydratacji) jonu. Rozpatrzmy to zagadnienie w przypadku rozpuszczalnika najbardziej popularnego, choć - jak się okaże - wcale nie najbardziej typowego.

3.2. Aktywność, współczynniki aktywności

Ogramczając się do roztworów dwuskładnikowych (rozpuszczalnik i elektrolit). rozwińmy zagadnienia wprowadzenia niejako „poprawek” do opisu stanu rzeczywistego w porównaniu ze stanem doskonałym.

Dla każdego składnika roztworu doskonałego potencjał chemiczny jest funkcją stężenia tylko tego składnika „i” w określonych warunkach T i p = const i spełnia równanie:

Pi = P? = RTlnx,    (3.11)

Z równania tego wynika, że x, = = 1 + vp, = p®.. Gdy xi-*0, to P, - p? —» - =c, co oznacza, iż względny potencjał chemiczny może się zmieniać od — oc do 0. Dla opisu stanu składników i roztworu w układzie rzeczywistym wprowadzono pojęcie aktywności a

Aktywność rozpuszczalnika (składnik A roztworu) definiowana jest wzorem:

RT\naA = rfi - fi°A    (3.12)

gdzie: f/A - potencjał chemiczny składnika A w roztworze rzeczywistym.

HA - molowa energia Gibbsa tego składnika w stanie standardowym

Stanem standardowym dla rozpuszczalnika jest z3wszc stan czystego rozpuszczalnika w tej samej temperaturze i pod tym samym ciśnieniem (gć x4—*1, tzn. x,-*0, to aA*1).

Gdyby roztwór był doskonały, to zgodnie z równaniem (3.1 Ij wzglęćn.-potencjał chemiczny rozpuszczalnika byłby związany z ułamkiem molowym, zależnością:

RT\nxA = ti‘A-ii0A    (3.15

Ze wzoru (3.12) i (3.13) wynika:

tfl — H i In

XA

Po podstawieniu

^ =Sa    (3.14)

XA

otrzymujemy:

rt-A = \n fa    (3.15)

gdzie fA jest tak zwanym współczynnikiem aktywności będącym miarą odchylenia stanu układów rzeczywistych od stanu układów doskonałych, czyli tzw. odchylenia od doskonałości.

Jeżeli składnik B roztworu jest nieelektrolitem, to jego aktywność w zależności od stosowanego systemu wyrażania aktywności może być zdefiniowana jednym z trzech równań:

RT\amaB = nB-mn°,

(aktywność m olał na)

(316)

RT\a‘aB = nB-mn%

(aktywność molowa)

(3.17)

RTlaxaB = /iB-*ii0B

(aktywność ułamkowa)

(318/


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
28 (96) 52 4 Obliczeni* związane z pływaniem po loksodromie prowadzi t>* przy wykorzystaniu zależ
Wykorzystując zależności (1), (2) oraz = t / T0, otrzymano ostateczną zależność: Qco = m^CpTf, j
54 Andrzej Szlęk Zróżniczkowanie równania (8.4) względem wysokości złoża, przy wykorzystaniu
lewicki 3 również pamiętać o tym, że w równaniu (8.1) a, $ i dz są zależne od ciśnienia i przy odksz
Obraz2 (63) po uporządkowaniu, przy założeniu c*0: Równania łańcuchowe czwórnika pracującego przy d
Obraz3 (67) (78) 84 Wstawiając tę zależność do równania Bernoulliego otrzymamy:L1 "(af )]= 2gH
Matematyka 2 &1 260 IV. Równania różniczkowe zwyczajne 13. Rozwiązać równanie przy podanym warunku
Obraz (2542) 16. PODSTAWOWE UKŁADY UŻYTKOWE STOSOWANE W ELEKTROCHEMII16.1. Wzmacniacz logarytmujący
P1050513 1 16 hmłJo—ej>- Przy takim założeniu oirzymuje się wzór na potencjał kalomełowej w zależ
image 006 Spis treści 3    Określenie pola w strefie dalekiej przy wykorzystaniu pote
image 053 Rozdział 3Określenie pola w strefie dalekiej przy wykorzystaniu potencjałów
image 054 54 Określenie pola w strefie dalekiej przy wykorzystaniu potencjałów wektorowych wektorowe

więcej podobnych podstron