69060 Slajd11 (125)

c

d

Rezystancja kanału może zmieniać się od kilkudziesięciu omów, przy braku polaryzacji, do wielu megaomów w w arunkach zamknięcia. Napięcie l*_Gs. przy którym następuje zamkniecie iwnosi od IV do 10N' zależnie od tvpu tranzystora.

Sytuacja omawiana wyżej przy pomocy rysunków a) i b) nie jest ścisła gdyż nie uwzględnia w pl\ w u napięcia t'35. Na rysunku c) i di przedstawiona jest sytuacja gdy doprowadzone jest napięcie 1*35 między- dren i źródło, przy zachowaniu tego samego potencjału bramki i źródła l'_GS = const. Jak widać na rys. c) w pobliżu drenu warstwa zaporowa jest szersza niż w pobliżu źródła. Jest to spowodowane tym. że złącze pn wzdłuż kanału jest polaryzowane różnymi napięciami. Do stałego napięcia l*_GS dodaje się spadek napięcia występujący między danym punktem kanału a źródłem S. Dalszy wzrost napięcia U_re powoduje dalsze rozszerzanie warstwy zaporowej aż do zamknięcia kanału, co powoduje stan nasycenia. W takiej sytuacji dalszy wzrost napięcia U_DS nie będzie powodował praktycznie dalszego wzrostu prądu drenu I_D gdyż warstwa zaporowa będzie się rozszerzała w kierunku drenu, a spadek napięcia w kanale pozostanie praktycznie stare (patrz rys. d)). Wobec tego swobodne elektrony w kanale poruszać się będą przez obszar o stałych wymiarach i stałym spadku napięcia, przez warstwę zaporową w kierunku drenu.