- 294
Niech w chwili t0 (punkt O na rys. 5.46b oraz 5.47) nastąpi skokowa zmiana napięcia wejściowego eg od wartości —ER do EP. Z uwagi na spełnienie warunku sterowania prądowego podczas włączania tranzystora prąd bazy osiąga natychmiast wartość IBF = EFjRB. Zmiana natomiast polaryzacji złącza E-B z kierunku
t
Rys. 5.47
Przebiegi czasowe napięć i prądów podczas włączania i wyłączania tranzystora
zaporowego do kierunku przewodzenia nie jest natychmiastowa, gdyż zmiana napięcia UBE łączy się z koniecznością zmiany ładunku warstwy zaporowej QJt. Aby napięcie UBE zmieniło się od wartości —ER (w przybliżeniu) do zera, konieczne jest zmniejszenie ładunku Qje o wartość AQJe pokazaną na rys. 5.45b, czyli warstwa zaporowa złącza E-B musi być częściowo rozładowana. Ponieważ prąd rozładowania jest ograniczony (jest to prąd bazy IBF, a ściśle biorąc część tego prądu), zatem dopiero po pewnym czasie napięcie UBE osiąga wartość zerową i punkt pracy tranzystora przechodzi z zakresu odcięcia do zakresu normalnego aktywmego (od 0 do 1). Czas ten jest nazywany czasem opóźnienia. Wyjaśnijmy teraz, dlaczego stwierdzono wyżej, że — ściśle biorąc—tylko część prądu IBF „idzie” na rozładowanie warstwy zaporowej złącza E-B ? Otóż należy pamiętać, że przy zmianie potencjału bazy zmienia się napięcie UBC (potencjał kolektora jest w tym czasie stały, gdyż prąd kolektora jest, praktycznie biorąc, równy zeru), czyli zmienia się rówmież ładunek QJc. Waśnie dlatego część prądu IBf przeładowuje warstwę zaporowrą złącza E-B, a pozostała jego część przeładowuje warstwę zaporową złącza B-C.
Zwróćmy teraz uwagę na wykres rozkładu koncentracji nb(x) dla chwili ty (rys, 5.46c) odpowiadającej punktowi pracy 1. Nachylenie tego rozkładu przy kolektorze (dla współrzędnej x = WB) jest prawie rówme zeru, co oznacza, że dopiero od tej chwili rozpoczyna się wzrost prądu kolektora. Przypomnijmy, że prąd dyfuzji jest proporcjonalny do gradientu koncentracji nośników. W okresie od tl do <3l reprezentowanym przez jeden wykres dla chwili t2 (punkt pracy 2), nachylenie