plik


Analiza komputerowa pracy wzmacniacza tranzystorowego jed- nostopniowego za pomoc programu PSpice  wersja EDU. ZADANIA DO WYKONANIA: I. Przeprowadzi analiz czasow wzmacniacza klasy A w ukBadzie OE z tran- zystorem typu Q2N2222 (pkt. 1)  okre[li wspBczynnik wzmocnienia napi- ciowego wzmacniacza. II. Przeprowadzi analiz wpBywu temperatury pracy (-700C125oC) na przebieg sygnaBu wyj[ciowego ze wzmacniacza. Okre[li wspBczynnik wzmocnienia napiciowego wzmacniacza dla wybranego zakresu temperatur (pkt. 2). III. Przeprowadzi podstawowa analiz czstotliwo[ciow ukBadu (pkt. 3) okre[Bic wspBczynnik wzmocnienia ukBadu w dB oraz pasmo przenoszenia. IV. Przeprowadzi analiz wpBywu temperatury pracy (-700C125oC) na przebieg charakterystyki czstotliwo[ciowej wzmacniacza. Okre[li wspBczynnik wzmocnienia napiciowego wzmacniacza w dB oraz pasmo przenoszenia dla wybranego zakresu temperatur (pkt. 4). V. Przeprowadzi analiz staBoprdow DC na otrzymanej charakterystyce okre[li punkt pracy wzmacniacza (pkt. 5 i 6). VI. Przeprowadzi analiz wpBywu pojemno[ci wej[ciowej ukBadu (C1) na prze- bieg charakterystyki czstotliwo[ciowej wzmacniacza. Okre[li wspBczynnik wzmocnienia napiciowego wzmacniacza w dB oraz pasmo przenoszenia dla wybranego zakresu zmian pojemno[ci (pkt. 7). VII. Przeprowadzi analiz wpBywu rezystancji emiterowej ukBadu (R4) na prze- bieg charakterystyki czstotliwo[ciowej wzmacniacza. Okre[li wspBczynnik wzmocnienia napiciowego wzmacniacza w dB oraz pasmo przenoszenia dla wybranego zakresu zmian rezystancji (pkt. 8). VIII. Przeprowadzi analiz wpBywu rezystancji emiterowej ukBadu (R4) na prze- bieg czasowy sygnaBu wyj[ciowego ze wzmacniacza. Okre[li wspBczynnik wzmocnienia napiciowego wzmacniacza (pkt. 9). IX. Przeprowadzi analiz wpBywu rezystancji ustalajcej punkt pracy tranzy- stora (R1) na przebieg charakterystyki czstotliwo[ciowej wzmacniacza. Okre[li wspBczynnik wzmocnienia napiciowego wzmacniacza w dB oraz pasmo przenoszenia dla wybranego zakresu zmian rezystancji (pkt. 10). X. Przeprowadzi analiz wpBywu rezystancji ustalajcej punkt pracy tranzy- stora (R1) na przebieg czasowy sygnaBu wyj[ciowego ze wzmacniacza. Okre- [li wspBczynnik wzmocnienia napiciowego wzmacniacza (pkt. 11). XI. Przeprowadzi analiz wpBywu pojemno[ci wyj[ciowej ukBadu (C2) na prze- bieg charakterystyki czstotliwo[ciowej wzmacniacza. Okre[li wspBczynnik wzmocnienia napiciowego wzmacniacza w dB oraz pasmo przenoszenia dla wybranego zakresu zmian pojemno[ci (pkt. 12). XII. DO OPRACOWANIA W DOMU  OKREZLI WPAYW POJEMNOZCI EMITEROWEJ NA KSZTAAT CHARAKTERYSTYKI CZSTOTLIWO- ZCIOWEJ (np. dla CE=220470F) ORAZ WPAYW POJEMNOZCI SPRZGAJCEJ KOLEKTOR  BAZA NA KSZTAAT CHARAKTERY- STYKI CZSTOTLIWOZCIOWEJ (np. dla CS=100470pF). Okre[li wspB- czynnik THD dla f=1kHz. Wyznaczy charakterystyk wyj[ciow tranzystora Q2N2222 i zaznaczy na niej punkt pracy i prosta obci|enia. Okre[li rezy- stancj wyj[ciow i wej[ciow wzmacniacza. Wyniki zilustrowa graficznie. 1 UWAGA: PODANY ZAKRES WICZENIA NIE JEST MO{LIWY DO ZREALIZOWANIA W CYKLU 2-h. NALE{Y WYKONA JE- DYNIE PUNKTY PODANE PRZEZ PROWADZCEGO ZAJCIA. 1. Analiza podstawowa - czasowa 1. Uruchomi program SCHEMATICS z programu PSpice 2. Wczyta zbir  WT-TRANZYSTOROWY 3. Po wczytaniu winien pojawi si schemat przedstawiony na rys. 1. 4. (Uz=30Vdc), Uwe=0.5Vac f=1kHz 5. Analiza czasowa ukBadu podstawowego: 1. Uaktywni SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 2. Wybra opcje: Bias Point Detal i Transient 2 3. Nacisn przycisk Transient  pojawia si okno ustalajce SE- TUP analizy czasowej 4. Po ustawieniu parametrw analizy jak na rysunku naci[nij OK i Close i przejdz do schematu gBwnego i do analizy Simulate (F11)  (rys. 2). Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt. 3 2. Analiza podstawowa  wpByw temperatury na przebieg sygnaBu wyj[ciowego ze wzmacniacza 1. Wczyta plik WT-TEMP-czasowa 2. Uaktywni SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 3. Wybra opcje: Bias Point Detal, Transient i Parametrics 4. Nacisn przycisk Parametrics i ustawi opcje wg rysunku (analiza dla tempe- ratury (-70, 0, 25, 50, 125oC) 4 5. Opcje analizy czasowej Transient pozostawi bez zmian 6. Po ustawieniu parametrw przej[ do analizy wpBywu temperatury na przebieg sygnaBu wyj[ciowego (rys. 3) 5 7. Wydrukowa otrzymany wynik analizy ustawiajc w opcjach wydruku: wy- druk w nagBwku wydruk parametru zmienianego (klawisz #P) . 3. Analiza podstawowa  charakterystyka czstotliwo[ciowa 1. Wczyta zbir  WT-Podstawowy-czestotliwosciowa 2. Po wczytaniu winien pojawi si schemat przedstawiony na rys. 4 3. Analiza czstotliwo[ciowa ukBadu podstawowego: 6 1. Uaktywni SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 2. Wybra opcje: Bias Point Detal i AC Sweep 3. Nacisn przycisk AC Sweep  pojawia si okno ustalajce SETUP analizy czstotliwo[ciowej 4. Po ustawieniu parametrw analizy jak na rysunku naci[nij OK i Close i przejdz do schematu gBwnego i do analizy Simulate (F11)  (rys. 5). Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt. 7 4. Analiza podstawowa  wpByw temperatury na przebieg charakterystyki czstotliwo- [ciowej wzmacniacza 1. Wczyta plik WT-TEMP-czestotliwosciowa 2. Uaktywni SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 3. Wybra opcje: Bias Point Detal, AC Sweep i Parametrics 8 4. Nacisn przycisk Parametrics i ustawi opcje wg rysunku (analiza dla tempe- ratury (-70, 0, 25, 50, 125oC) 5. Opcje analizy czstotliwo[ciowej AC Sweep pozostawi bez zmian 6. Po ustawieniu parametrw przej[ do analizy wpBywu temperatury na przebieg charakterystyki czstotliwo[ciowej (rys. 6) 9 7. Wydrukowa otrzymany wynik analizy ustawiajc w opcjach wydruku: wy- druk w nagBwku wydruk parametru zmienianego (klawisz #P) . 5. Analiza staBoprdowa DC 1. Wczyta plik WT-DC (rys.7) 2. Uaktywni SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 3. Wybra opcje: Bias Point Detal, DC Sweep 10 4. Opcje analizy czstotliwo[ciowej DC Sweep ustawi wg rysunku 5. Po ustawieniu parametrw przej[ do analizy Simulate (rys. 8) 11 6. Wydrukowa otrzymany wynik analizy i po wykonaniu nastpnego kroku za- znaczy na nim punkt pracy tranzystora Q1 6. Analiza DC  ustalenie napi i prdw w poszczeglnych punktach wzmacniacza: 1. Wczyta plik WT-PODSTAWOWY 2. Uruchomi process symulacji Simalate i po jego wykonaniu zamkn okno z otrzymanymi wynikami. 3. Na ekranie podstawowym uaktywni przycisk (V)  Enable Bias Voltage Di- splay i (I)  Enable Bias Current Dispaly. Na schemacie pojawia si warto[ci napi i prdw w poszczeglnych punktach ukBadu. Zwrci uwag na kieru- nek prdu emitera tranzystora Q1 i prdu pByncego przez rezystor emiterowy R4. (rys. 9). 12 4. Wyliczy pobr mocy przez wzmacniacz 7. Analiza parametryczna wpBywu poszczeglnych elementw wzmacniacza na jego cha- rakterystyk czstotliwo[ciow  wpByw pojemno[ci wej[ciowej Wczyta plik WT-PAR-C1-czestotliwosciowa 1. Uaktywni SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 13 2. Wybra opcje: Bias Point Detal , AC Sweep i Parametric 3. Nacisn przycisk AC Sweep  pojawia si okno ustalajce SETUP analizy czstotliwo[ciowej 4. Nacisn przycisk Parametric  pojawia si okno ustalajce SETUP zadane parametru C1 14 5. Po ustawieniu parametrw analizy jak na rysunku naci[nij OK i Close i przejdz do schematu gBwnego i do analizy Simulate (F11)  (rys. 1). Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt  ustal graficznie dolna czstotliwo[ graniczna wzmacniacza w zale|no[ci od pojemno[ci kondensatora C1 15 8. Analiza parametryczna wpBywu poszczeglnych elementw wzmacniacza na jego cha- rakterystyk czstotliwo[ciow  wpByw rezystancji emiterowej Wczyta plik WT-PAR-R4-czestotliwosciowa 1. Uaktywni SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 2. Wybra opcje: Bias Point Detal , AC Sweep i Parametric 3. Nacisn przycisk AC Sweep  pojawia si okno ustalajce SETUP analizy czstotliwo[ciowej 16 4. Nacisn przycisk Parametric  pojawia si okno ustalajce SETUP zadane parametru R4 5. Po ustawieniu parametrw analizy jak na rysunku naci[nij OK i Close i przejdz do schematu gBwnego i do analizy Simulate (F11)  (rys. 1). Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt  ustal graficznie wzmocnienie wzmacniacza w zale|no[ci od re- zystancji R4 17 9. Analiza parametryczna wpBywu rezystancji R4 na charakterystyk czasow ukBadu Wczyta plik WT-PAR-R4-czasowa 1. Uaktywni SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 18 2. Wybra opcje: Bias Point Detal , Transient i Parametric 3. Nacisn przycisk Parametric  pojawia si okno ustalajce SETUP 4. Nacisn przycisk Transient  pojawia si okno ustalajce SE- TUP 19 5. Po ustawieniu parametrw analizy jak na rysunku naci[nij OK i Close i przejdz do schematu gBwnego i do analizy Simulate (F11)  (rys. 1). Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt. 20 10. Analiza parametryczna wpBywu rezystancji R1 na charakterystyk czasow ukBadu Wczyta plik WT-PAR-R1-czestotliwosciowa 6. Uaktywni SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 7. Wybra opcje: Bias Point Detal , AC Sweep i Parametric 8. Nacisn przycisk AC Sweep  pojawia si okno ustalajce SETUP analizy czstotliwo[ciowej 21 9. Nacisn przycisk Parametric  pojawia si okno ustalajce SETUP zadane parametru R1 10. Po ustawieniu parametrw analizy jak na rysunku naci[nij OK i Close i przejdz do schematu gBwnego i do analizy Simulate (F11)  Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt. 22 11. Analiza parametryczna wpBywu rezystancji R1 na charakterystyk czasow ukBadu Wczyta plik WT-PAR-R1-czasowa 12. Uaktywni SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 23 13. Wybra opcje: Bias Point Detal , Transient i Parametric 14. Nacisn przycisk Parametric  pojawia si okno ustalajce SETUP 15. Nacisn przycisk Transient  pojawia si okno ustalajce SE- TUP 24 16. Po ustawieniu parametrw analizy jak na rysunku naci[nij OK i Close i przejdz do schematu gBwnego i do analizy Simulate (F11)  . Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt. 12. Analiza parametryczna wpBywu poszczeglnych elementw wzmacniacza na jego cha- rakterystyk czstotliwo[ciow  wpByw pojemno[ci wyj[ciowej 25 Wczyta plik WT-PAR-C2-czestotliwosciowa 17. Uaktywni SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 18. Wybra opcje: Bias Point Detal , AC Sweep i Parametric 19. Nacisn przycisk AC Sweep  pojawia si okno ustalajce SETUP analizy czstotliwo[ciowej 26 20. Nacisn przycisk Parametric  pojawia si okno ustalajce SETUP zadane parametru C2 21. Po ustawieniu parametrw analizy jak na rysunku naci[nij OK i Close i przejdz do schematu gBwnego i do analizy Simulate (F11)  Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt 27 28 Tabela z wynikami obliczeD: TABELA WYNIKW Au [V/V 1. Uwe [V] Uwy [V] 2. t [oC] -70 0 25 50 125 Uwe [V] Uwy [V] Au [V/V 3. Au [dB] fg [Hz] fd [Hz] B [Hz] 4. t [oC] -70 0 25 50 125 Au [dB] fd [Hz] fg [Hz] B [Hz] 5,6 UB UE UC UCC IB IE IC ICC P [V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [mA] [mA] [mW] Cwe [F] 7. 0.1 0.5 0.9 1.3 1.7 2.0 Au [dB] fd [Hz] fg [Hz] B [Hz] RE [&!] 8,9 110 310 510 710 910 1100 Au [dB] fd [Hz] fg [Hz] B [Hz] Au[V/V] 29 R1 [k&!] 10. 30 35 40 45 50 Au [dB] fd [Hz] fg [Hz] B [Hz] Au[V/V] Cwy [F] 11. 1 3 5 7 9 11 Au [dB] fd [Hz] fg [Hz] B [Hz] ZADANIE DOMOWE CE [F] 1 220 330 430 470 Au [dB] fd [Hz] fg [Hz] B [Hz] CS [pF] 2 100 200 300 400 470 Au [dB] fd [Hz] fg [Hz] B [Hz] THD [%] dla rwe [k&!] rwy [k&!] Uwe=100mV 30 31

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Analiza parametryczna i optymalizacja w PSPICE
Analiza parametrów i dobieranie zasilaczy do zadanych konfiguracji sprzętowych
Analiza parametryczna
ANALIZA WYBRANYCH PARAMETRÓW POŻAROWYCH WEŁNY MINERALNEJ I UKŁADÓW WEŁNA MINERALNA TYNKI CIENKOWARST
Analiza wybranych biochemicznych i morfologicznych parametrów krwi u krów i cieląt noworodków
Parametryczna analiza zwichrzenia sprężystego kratownic
Analiza Matematyczna 2 Zadania
analiza
ANALIZA KOMPUTEROWA SYSTEMÓW POMIAROWYCH — MSE
Analiza stat ścianki szczelnej
Analiza 1
Analiza?N Ocena dzialan na rzecz?zpieczenstwa energetycznego dostawy gazu listopad 09
Analizowanie działania układów mikroprocesorowych
Analiza samobójstw w materiale sekcyjnym Zakładu Medycyny Sądowej AMB w latach 1990 2003
Analiza ekonomiczna spółki Centrum Klima S A
roprm ćwiczenie 6 PROGRAMOWANIE ROBOTA Z UWZGLĘDNIENIEM ANALIZY OBRAZU ARLANG
Finanse Finanse zakładów ubezpieczeń Analiza sytuacji ekonom finansowa (50 str )
analiza algorytmow

więcej podobnych podstron