Politechnika Lubelska	Laboratorium podstaw elektroniki
w Lublinie	Ćwiczenie nr 2
Józwik Tomasz		Semestr IV	Grupa: ED4.4	Rok akademicki: 1996/97
Temat ćwiczenia: Badanie właściwości impulsowych tranzystora.			Data wykonania: 24.02.1997	Ocena:

1.Wyznaczniewartości prądu bazy na granicy nasycenia.

Napięcie na zasilaczu równe 0V to U_{CE odc}=10.5V

Dla U_CE=0.5V I_Bmin=0.1mA

2.Wyznaczanie wartości napięć sterujących przy których wsp. przesterowania osiąga założone wartości.

KF	IB	UZ
-	mA	V
1	0.1	0.48
2	0.2	0.77
4	0.4	1.42
8	0.8	2.68
16	1.6	5.23

3.Praca tranzystora w układzie przełącznika.

Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym.

KF	UZ	td	tn	tp	to
-	ms	ms	ms	ms	ms
1	1	0	40	8	48
2	1.5	0	20	24	56
4	2	0	8	40	72
8	2.5	0	4	48	80
16	10	0	4	72	120

t_n=f(K_F)

t_p=f(K_F)

t_o=f(K_F)

Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badania wpływu pojemności przyspieszającej na czasy przełączenia tranzystora.

CB	KF	td	tn	tp	to
pF	-	ms	ms	ms	ms
	1	0	16	8	24
	2	0	8	8	16
100	4	0	4	16	8
	8	0	4	12	8
	16	0	0	8	40
	1	0	16	4	20
	2	0	8	4	16
500	4	0	8	8	8
	8	0	4	12	4
	16	0	0	8	8

t_n=f(K_F)

t_p=f(K_F)

t_o=f(K_F)

Wnioski.

Zwiększając współczynnik przesterowania tranzystora tym samym zwiększamy prąd bazy. A więc zwiększamy ilość ładunków pompowanych w obszar bazy zmniejsza to więc czas narastania ponieważ im większy prąd tym mniej czasu potrzeba aby wprowadzić w obszar wystarczającej ilości ładunków aby doszło do nasycenia tranzystora. Wiąże się to jednak z przedłużeniem czasu przeciągania oraz opadania ponieważ aby wprowadzić te tranzystor ponownie w stan odcięcia należy te nadmiarowe ładunki odprowadzić z obszaru bazy.

Innym sposobem jest dodanie dodatkowego kondensatora którym zwieramy rezystor ograniczający prąd bazy dzięki czemu skracamy stałą czasową zapełniania przez ładunki obszaru bazy.

---