28 zjawiska towarzyszące bombardowaniu ciała stałego jonam

background image

28. Zjawiska towarzyszące

bombardowaniu ciała stałego

elektronami i jonami

Michał Morek

background image

Wstęp

Elektron - trwała cząstka elementarna będąca
jednym z elementów atomu. Elektron ma ładunek
elektryczny równy e=1,6021917(70)×10

-19

C i masę

spoczynkową m

e

≈9,10938×10

-31

kg.

Elektrony w atomach poruszają się wokół dodatniego
jądra w obszarach zwanych powłokami
elektronowymi bądź orbitalami. Zachowanie
elektronu w atomie zdeterminowane jest przez
elektromagnetyczne oddziaływanie z dodatnim
jądrem oraz pozostałymi elektronami.

background image

Wstęp

Jon - to atom lub grupa atomów połączonych
wiązaniami chemicznymi, która ma niedomiar lub
nadmiar elektronów w stosunku do protonów.
Obojętne elektrycznie atomy i cząsteczki
związków chemicznych posiadają równą liczbę
elektronów i protonów, jony zaś są elektrycznie
naładowane dodatnio lub ujemnie.
Jony naładowane dodatnio nazywa się kationami, zaś
ujemnie anionami. Jony mogą występować
samodzielnie, w stanie wolnym (zwykle w fazie
gazowej) lub tworzą tzw. pary jonowe, które mogą
być luźno ze sobą związane lub odwrotnie - mogą
tworzyć silne wiązania (w. jonowe).

background image

Zjawiska na granicy „ciało stałe
– gaz”

Zjawiska fizyko-chemiczne występujące na
powierzchni ciała stałego i w obszarze
przypowierzchniowym możemy podzielić na zjawiska
towarzyszące bombardowaniu ciała stałego:

– elektronami,
– jonami,
– fotonami.

background image

Zjawiska towarzyszące
bombardowaniu ciała stałego
elektronami

e

elektrony
odbite
(rozproszone)

elektrony
wybite

elektrono-
luminescencja

atomy
parowane

Mikroskopia
Skaningowa SEM,
AES – Auger Electron
Spectroscopy

dyfrakcja
elektronów,
TEM=HEED,
LEED

rozpraszanie energii – termalizacja, nagrzewanie, parowanie wiązką
elektronów EBE,

hartowanie, spawanie, topienie, annealing,

defektowanie,
reakcje chemiczne – elektronolitografia.

e

e

h

background image

Zjawiska towarzyszące
bombardowaniu ciała stałego
elektronami

Zjawiska towarzyszące bombardowaniu c. s.

elektronami:

• odbijanie elektronów,
• wybijanie elektronów,
• generacja fotonów,
• parowanie atomów,
• wnikanie elektronów w głąb ciała stałego:

– rozpraszanie energii,
– defektowanie,
– reakcje chemiczne.

background image

SEM – Scanning Electron
Microscopy

Skaningowa mikroskopia elektronowa - jest
metodą w której badającym przyrządem jest
rodzaj mikroskopu elektronowego, w którym obraz
uzyskiwany jest w wyniku
"bombardowania" próbki wiązką elektronów, która
skupiona jest na przedmiocie w postaci małej
plamki. Wiązka omiata obserwowany obszar linia
po linii. Układ rejestruje elektrony odbite lub
elektrony wtórne emitowane przez próbkę w
wyniku pobudzenia próbki przez wiązkę
elektronów.

background image

AES - Auger Electron
Spectroscopy

Spektroskopia elektronów Auger’a – jest to
technika używana do analizy powierzchni (jej składu i
właściwości chemicznych) do głębokości 0,5-1 nm
obszaru przypowierzchniowego. Istotą metody jest
pomiar rozkładu energetycznego elektronów wtórnych
(czyli ich widma) emitowanych z powierzchni po
wzbudzeniu wiązką elektronów pierwotnych.

Zastosowane w nanotechnologii półprzewodników:
-kontrola czystości podłoża p-p,
-kontrola stechiometrii powierzchni w procesie jej

oczyszczania,
-wyznaczanie profilu koncentracji na granicach faz.

background image

LEED – Low-Energy Electron
Diffraction

Dyfrakcja elektronów niskoenergetycznych -
jest metodą, która pozwala określić przestrzenny
rozkład wiązek ugiętych i ich zmiany w funkcji
energii elektronów pierwotnych.

Zastosowanie LEED w nanotechnologii p-p:
-ocena czystości podłoży do MBE,
-badanie struktury atomowej komórki
elementarnej na powierzchni kryształu,
-określenie symetrii lokalnej na powierzchni
kryształu.

background image

Inne metody dyfrakcyjne

RHEED (Reflection High-Energy Electron

Diffraction) – dyfrakcja odbiciowa elektronów
wysokoenergetycznych

HEED (High-Energy Electron Diffraction) – dyfrakcja

elektronów wysokoenergetycznych

TEM (Transmission Electron Microscopy) –

elektronowa mikroskopia transmisyjna

background image

Electron Beam Evaporation
EBE

Parowanie wiązką elektronową - jest jedną z
grupy metod PVD (Physical Vapor Deposition). W
metodzie tej wiązka elektronowa powoduje
nagrzewanie materiału powodując jego
odparowanie. Jest używana np. do nanoszenia
warstw izolacyjnych i rezystywnych w technice
cienkowarstwowej.

background image

Zjawiska towarzyszące
bombardowaniu ciała stałego
jonami

+

jonoluminescencja

elektrony
wtórne

odbite

nanoszenie
warstw
trawienie jonowe

SIMS

rozpraszanie energii (nagrzewanie),
reakcje chemiczne (jonolitografia),
defektowanie (ion mixing, ion
modyfication),
implantacja jonowa.

h

jon
implantowany

jon

+

N

e

N

atomy
rozpylane

+

-

jony
rozpylane

ISS

SIMS – Secondary Ion Mass
Spectroscopy
ISS - Ion Scattering
Spectroscopy
(Spektroskopia rozpraszania
jonów) – skład, czystość,
koncentracja.

background image

Zjawiska towarzyszące
bombardowaniu ciała stałego
jonami

Zjawiska towarzyszące bombardowaniu ciała stałego

jonami:

• wybijanie elektronów wtórnych,

• generacja fotonów,

• odbijanie jonów,

• odbijanie cząstek neutralnych,

• wybijanie jonów,

• wybijanie atomów,

• rozpylanie w celu:

– nanoszenia warstw,

– trawienie jonowego,

• modyfikacja jonowa:

– rozpraszanie energii,

– reakcje chemiczne,

– defektowanie,

– implantacja jonowa

background image

Nanoszenie warstw

Jony pochodzące z plazmy wyładowania
otaczającego pokrywane podłoże albo też jony
wytworzone w oddzielnym źródle i
uformowane w wiązkę mogą odgrywać w
procesach technologicznych dwojaką rolę:

- mogą być „narzędziem” rozpylającym target,

a więc umożliwiającym transport masy

ku pokrywanemu podłożu,

- mogą oddziaływać na podłoże i na nanoszoną

na nim warstwę modyfikując właściwości fizyczne

i wpływając na przebieg reakcji

chemicznych

background image

Rozpylanie jonowe

Wyróżniamy:
1. Rozpylanie fizyczne – kinetyczne wybijane

atomów, cząsteczek w postaci neutralnej lub
zjonizowanej przez jony.

2. Rozpylanie chemiczne – chemiczne oddziaływanie

aktywnych cząstek (rodników) z atomami targetu
dające związki lotne.

3. Rozpylanie reaktywne – reakcje chemiczne

reaktywnego gazu z materiałem targetu powodują
obniżenie energii wiązania produktów reakcji i
ułatwiają ich kinetyczne rozpylanie

background image

Rozpylanie jonowe

Układy rozpylania jonowego (plazmowego):
- stałoprądowy układ dwuelektrodowy,
- stałoprądowy układ trójelektrodowy,
- układ w.cz.,
- magnetronowy,
- asymetryczne rozpylanie zmiennoprądowe,
- rozpylanie z gatterowaniem,
- rozpylanie wiązką jonów.

background image

Ion Beam Sputtering IBS

Rozpylanie wiązką jonów – w tej metodzie
rozpylania generując jony w zewnętrznym źródle i
formując z nich wiązkę w przybliżeniu
monoenergetyczną i równoległą uzyskujemy
bardziej precyzyjne narzędzie rozpylania.
Umieszczając podłoże w obszarze wysokiej próżni
uzyskujemy możliwość wpływu na mechanizm
wzrostu warstw, ich
strukturę
i czystość

background image

Platerowanie jonowe

Jest to metoda nanoszenia warstw, w której przed i
w czasie nanoszenia warstwy podłoże podlega
bombardowaniu jonowemu na tyle intensywnemu
by występowało rozpylanie jonowe. Najczęstsze
skojarzenie: „napylanie/naparowywanie +
rozpylanie”.

Proces platerowania jonowego obejmuje dwa etapy:
1. Oczyszczanie podłoża rozpylaniem jonami gazu
szlachetnego
2. Bez przerywania bombardowania jonami –
odsłonięcie przysłony i parowanie na podłoże

background image

Modyfikacja jonowa

Pojęcie modyfikacji jonowej obejmuje 2 pojęcia:
implantację jonową i defektowanie struktury.

Implantacja jonowa to proces wprowadzania
domieszek do cienkiej przypowierzchniowej
warstwy materiału poprzez jego bombardowanie
jonami o energii rzędu keV lub MeV. Wyróżniamy
implantacje: bezpośrednią, pośrednią i imersyjną.

Defektowanie – Ion Mixing, Ion Modyfication

background image

Ion mixing, Ion modyfication

IBAD – Ion Beam Assisted Deposition – osadzanie wspomagane

wiązką jonów.

background image

Trawienie jonowe

Trawienie to proces, w którym występuje usuwanie
materiału z powierzchni ciała stałego pod wpływem
określonego czynnika trawiącego w drodze np.
rozpylania czy też reakcji chemicznych.

Do zakresu technik jonowych należy suche trawienie
(dry etching) wykorzystujące zjawiska zachodzące w
plaźmie bądź oddziaływanie wiązki jonów i/lub
cząsteczek neutralnych z ciałem stałym. Umożliwia
trawienie materiałów o małej reaktywności
chemicznej, przewodników i dielektryków np.
trawienie rozpylaniem jonowym (SE – Sputter
Etching).

background image

Trawienie jonowe

Wspólną zaletą wszystkich jednowiązkowych
metod trawienia jest anizotropowość trawienia
oraz szerokie możliwości regulacji parametrów
procesu, a więc i jego rezultatów. Wspólną wadą
jest natomiast ograniczona przelotowość procesu
wynikająca z faktu, że trawieniu podlega w nim
tylko jedno podłoże w jednym procesie.

Schemat układu
trawienia wiązką
jonów w wersji
podstawowej:

background image

Cleaning – oczyszczanie
powierzchni

Obejmuje ono usuwanie z powierzchni ciała
stałego adsorbowanych na niej gazów i
zanieczyszczeń słabo związanych z podłożem.
Oczyszczanie wymaga mniejszych energii
bombardujących cząstek i jako rutynowy proces
technologiczny przygotowania podłoży przed
osadzaniem na nich warstw cienkich realizowane
jest w wyładowaniu jarzeniowym.

background image

SIMS – Secondary Ion Mass
Spectroscopy

Spektroskopia mas jonów wtórnych - jest to metoda
badania półprzewodników w której wiązka jonów nie
penetruje obszaru przypowierzchniowego, ale może
ulegać rozproszeniom sprężystym lub może wybijać
atomy z warstwy przypowierzchniowej i jonizować część
z nich. Rozpylone jony trafiają do spektrometru
masowego, a dobrze zogniskowana wiązka jonów
pierwotnych pozwala na otrzymywanie map składu
pierwiastkowego z rozdzielczością przestrzenną około 1
μm

Zastosowanie:
-kontrola czystości i stechiometrii podłoży,
-wyznaczanie profili koncentracji domieszek,
-detekcja śladowych ilości pierwiastka.

background image

Zjawiska towarzyszące
bombardowaniu ciała stałego
elektronami i jonami

W przypadku bombardowania ciała stałego

elektronami prawdopodobieństwo dominacji

któregoś z wymienionych procesów zależy od

bombardowanego materiału, kąta padania wiązki

elektronowej na powierzchnię oraz od energii

elektronów.

Natomiast w przypadku bombardowania ciała

stałego jonami prawdopodobieństwo dominacji

któregoś z wymienionych procesów zależy od

mas atomowych padającego jonu i bombardowanego

materiału, ich liczb atomowych, kąta padania wiązki

jonowej na powierzchnię oraz od energii jonów.

background image

Literatura

1. Skrypt do wykładu „Techniki Plazmowe” – J.

Zdanowski (na prawach rękopisu)

2. Notatki z wykładu „Metody diagnostyki

powierzchni” – M. Dąbrowska-Szata

background image

Dziękuję za uwagę!

Dziękuję za uwagę!


Document Outline


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
28 Zjawiska towarzyszące bombardowaniu ciała stałego elektro
28 Zjawiska towarzyszące bombardowaniu ciała stałego elektro
6 3 Fizyka ciała stałego 28 41
II 14 Fizyka ciala stalego
Ciżman, fizyka ciała stałego L, sprawozdanie dwójłomność spontaniczna
bryja, fizyka ciała stałego, Równanie kp
5 Teoria pasmowa ciala stalego Nieznany (2)
bryja, fizyka ciała stałego, Model ciasnego wiązania
4 Budowa ciala stalego id 3714 Nieznany
Sprawozdanie-Chromatografia1, Rok 3, Semestr 5, Elektrochemia ciała stałego
OGÓLNE SFORMUŁOWANIE MES DLA ZAGADNIEŃ MECHANIKI CIAŁA STAŁEGO, Budownictwo, Semestr V, Budownictwo
fizyka ciala stalego
TEORIA PASMOWA CIAŁA STAŁEGO, Fizyka
LABORATORIUM FIZYKI CIAŁA STAŁEGO
Budowa ciała stałego
POŻAR I ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE, Straż pożarna
5 Teoria pasmowa ciała stałego

więcej podobnych podstron