1. |
Czy w półprzewodnikach samoistnych gęstość dziur jest równa gęstości elektronów? |
T/N |
2. |
Czy w półprzewodniku typu p nośnikami większościowymi są dziury (p) czy elektrony (n) |
p/n |
3. |
Czy zjonizowane donory i akceptory mogą być nośnikami prądu w półprzewodnikach typu n i typu p? |
T/N |
4. |
Czy przy polaryzacji normalnej tranzystora bipolarnego (jako elementu wzmacniającego) złącze emiterowe powinno być spolaryzowane w kierunku przewodzenia a kolektorowe w kierunku zaporowym? |
T/N |
5. |
Czy w tranzystorze MOS wzbogaconym typu n kanał indukuje się w warstwie p czy n? |
p/n |
6. |
Czy tyrystor klasyczny można wyłączyć za pomocą impulsu prądu bramki? |
T/N |
7. |
Czy dioda tunelowa może mieć rezystancję dynamiczną (różniczkowo/przyrostową) ujemną? |
T/N ? |
8. |
Czy stabilizator napięcia z diodą Zenera jest zaliczany do stabilizatorów szeregowych czy równoległych? |
sz/r |
9. |
Czy tyrystory klasyczne można włączyć impulsem prądu bramki przy dodatnim napięciu anodowym? |
T/N |
10. |
Czy w inteligentnych modułach mocy IPM zabezpieczenia są na zewnątrz czy wewnątrz modułu? |
z/w |
11. |
Czy tranzystory IGBT mogą działać jako łączniki tylko w obwodach prądu stałego (DC), tylko w obwodach prądu zmiennego (AC), czy w obu rodzajach tych obwodów (AC+DC) |
DC/AC/ (DC+AC) |
12. |
Czy wzmacniacz akustyczny jest wzmacniaczem pasmowo-przepustowym (pp) czy dolnoprzepustowym (dp) |
pp/dp |
13. |
Jak zależy moc strat przełączeniowych od częstotliwości? |
Nie zależy/ liniowo rośnie/ wykładniczo rośnie |
14. |
Czy termistor służy do pomiaru temperatury układu czy do jego zabezpieczenia przed wzrostem temperatury? |
Pomiar/ zabezpieczenie |
15. |
Czy tranzystor BTJ sterowany jest prądem bazy? |
T/N |
16. |
Czy w stanie niskim na wyjściu klucza z tranzystorem BJT płynie prąd kolektora? |
T/N |
17. |
Czy dokładność przetwornika analogowo-cyfrowego to to samo co jego rozdzielczość? |
T/N |
18. |
Czy przerzutnik monostabilny ma 2 stany stabilne? |
T/N |
19. |
Czy w układzie wzmacniacza mikrofonowego stosuje się przetwornik analogowo cyfrowy do podłączenia go do komputera? |
T/N |
20. |
Dioda laserowa emituje światło koherentne? |
T/N |
21. |
Czy napięcie na diodzie LED emitującej kolor czerwony jest mniejsze niż napięcie dla diody prostowniczej krzemowej? |
T/N |
22. |
Czy w modułach diod laserowych wykorzystywanych w telekomunikacji stosuje się układy chłodzenia z elementami termoelektrycznymi (TEC)? |
T/N |
23. |
Czy detektory obrazowe CCD i CMOS posiadają porównywalne parametry szumowe? |
T/N |
24. |
Czy tłumienie światłowodu 20dB/km oznacza 20/100/1000-krotne osłabienie sygnału? |
20/100/1000 |
25. |
Czy wyświetlacz ciekłokrystaliczny zasilany jest napięciem stałym czy przemiennym? |
Stałe/ przemienne |
26. |
Czy dioda Zenera spolaryzowana w kierunku zaporowym (z) czy przepustowym (p) jest stosowana do stabilizacji napięcia? |
z/p |
27. |
Czy dioda tunelowa stosowana do celów generacyjnych pracuje przy polaryzacji zaporowej? |
T/N |
28. |
Czy w tranzystorze MOS wzbogaconym typu n kanał tworzy się przy braku napięcia bramka-źródło? |
T/N |
29. |
Czy wyciąganie monokryształów w technologii Czochralskiego wymaga zarodka kryształu (zk), niskiej temperatury (nt), czy gazu szlachetnego (gsz) |
zk/nt/gsz |
30. |
Który z małosygnałowych parametrów „h” tranzystora bipolarnego definiuje jego wzmocnienie prądowe |
h11/h12/h21/h22 |
31. |
Czy rezystancja wyjściowa układu elektronicznego układu elektronicznego może być zależna od rezystancji obciążenia? |
T/N |
32. |
Czy przy obciążeniu rezystancyjnym prostownika sterowanego w odpowiednich warunkach sterowania możliwa jest jego praca falownikowa z oddawaniem energii z odbiornika do sieci zasilającej napięcia zmiennego? |
T/N |
33. |
Jaką modulację wykorzystują współczesne falowniki napięcia do zmiany częstotliwości napięcia wyjściowego? |
AM/FM/PWM |
34. |
Czy realizowany jest wzmacniacz elektroniczny, którego częstotliwość graniczna górna fg jest równa nieskończoności? |
T/N |
35. |
Czy niestabilność wzmacniacza jest następstwem działania ujemnego sprzężenia zwrotnego (-SZ) czy dodatniego (+SZ)? |
-SZ/+SZ |
36. |
Czy wzmacniacz operacyjny scalony ma dużą rezystancję wyjściową? |
T/N |
37. |
Czy dynamiczna rezystancja źródła napięciowego powinna być duża (d) czy mała (m)? |
d/m |
38. |
Czy generator elektroniczny posiada tylko wyjście sygnału (WY), czy tylko wejście (WE), czy zarówno wejście jak i wyjście (WE+WY) |
WE/WY/ (WE+WY) |
39. |
Czy prąd zerowy tranzystora bipolarnego krzemowego rośnie/maleje wraz z temperaturą? |
Rośnie/maleje |
40. |
Czy rezystancja termiczna radiator-otoczenie maleje/rośnie przy zastosowaniu wentylatora (konwekcja wymuszona)? |
Rośnie/maleje |
41. |
Czy niezawodność układów elektronicznych rośnie/maleje wraz ze wzrostem temperatury? |
Rośnie/maleje |
42. |
Czy układ różniczkujący wytwarza napięcie niezerowe dla stałego napięcia na wejściu? |
T/N |
43. |
Czy tranzystor NMOS działający jako klucz jest załączony dla napięcia bramka-źródło równego 0? |
T/N |
44. |
Czy czas narastania napięcia na wyjściu bramki CMOS zależy od szybkości działania tranzystora PMOS czy NMOS? |
PMOS/NMOS |
45. |
Czy liczba komparatorów w przetworniku analogowo-cyfrowym o przetwarzaniu bezpośrednim jest równa liczbie bitów układu? |
T/N |
46. |
Czy na wyjściu dwuwejściowej bramki NOR jest stan 0/1 przy wejściach 11? |
0/1 |
47. |
Dioda LED emituje światło gdy jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia czy zaporowym? |
Przewodzenie/ zaporowy |
48. |
Czy współczynnik wzmocnienia prądowego transoptora dioda-tranzystor może przyjmować wartości powyżej 200%? |
T/N |
49. |
Czy dioda LED niebieska emituje światło o dłuższej długości fali niż dioda zielona? |
T/N |
50. |
Czy czułość fotodetektora jest równa mocy równoważnej szumom? (NEP)? |
T/N |
51. |
Czy światłowód działa na zasadzie załamania promienia świetlnego czy jego całkowitego wewnętrznego odbicia? |
Załamanie/ odbicie |
52. |
Czy dyspersja światłowodu to rozszczepienie światła na jego wyjściu? |
T/N |
53. |
Czy wynalezienie telewizji poprzedzało w czasie wynalezienie tranzystora? |
T/N |
54. |
Czy strefy przejściowe na złączu p-n mają rezystywność relatywnie małą (m) czy dużą (d) względem pozostałych obszarów warstw n i p? |
m/d |
55. |
Z ilu tranzystorów składa się łącznik CMOS? |
1/2/3/4 |
56. |
Czy w technologii planarnej wykonywania układów scalonych wszystkie operacje technologiczne są wykonywane na jednej powierzchni płytki podłożowej? |
T/N |
57. |
Czy za pomocą analizy komputerowej można prowadzić analizę układu elektronicznego przy dużych sygnałach? |
T/N |
58. |
Czy diody Schottky'ego stosuje się przy prostowaniu napięć o małej (m) czy wielkiej (w) częstotliwości? |
m/w |
59. |
Czy przy modulacji PWM wartość średnia napięcia odbiornika i jego moc czynna zależą od pierwiastka kwadratowego ze współczynnika wypełnienia impulsów? |
T/N |
60. |
Czy Triaki są stosowane do sterowania mocą w obwodach prądu stałego (DC) czy zmiennego (AC)? |
DC/AC |
61. |
Czy pasmo B częstotliwości sygnałów wzmacnianych przez wzmacniacz elektroniczny jest równe sumie częstotliwości granicznych dolnej fd i górnej fg? |
T/N |
62. |
Modulacja amplitudy (AM) czy modulacja częstotliwości sygnału (FM) znalazła zastosowanie w radiotechnice na falach długich i średnich? |
AM/FM |
63. |
Czy współczynnik stabilizacji napięcia stabilizatora jest parametrem statycznym (ST), czy dynamicznym - przyrostowym/różniczkowym (D)? |
ST/D |
64. |
Czy w tranzystorze można wydzielić większą/mniejszą moc przy mniejszej temperaturze otoczenia? |
Większą/ mniejszą |