E4 (2)


Zespół nr 1

Nogaj Kamil

WM

Ćwiczenie nr E4

Temat: Badanie tranzystora

Mechanika i Budowa Maszyn

12.04.2000 r.

Teoria

Ocena:

Podpis:

Wykonanie

  1. Opis teoretyczny:

Tranzystorem bipolarnym nazywamy układ złożony z trzech warstw półprzewodnika, ułożonych w kolejności p - n - p, lub n - p - n. Poszczególne warstwy tranzystora nazywamy emiterem E, bazą B i kolektorem K. Baza jest warstwą cienką w porównaniu z drogą, którą przechodzą nośniki nim nastąpi ich rekombinacja. Początkowo dziury są zlokalizowane w strefie p,
a elektrony w strefie n. Impuls elektryczny który ma być wzmocniony jest dołączony między bazę i emiter. Wyjście z tranzystora lub wzmocniony sygnał jest odbierany między emiterem
a kolektorem. W tranzystorze powstają dwa złącza p-n i n-p. Kogą one przewodzić prąd
w przeciwnych kierunkach.

Rozkład poziomów energetycznych w nie kontaktujących się warstwach pokazano na rysunku poniżej:

0x08 graphic

W rzeczywistości występuje dyfuzja nośników i na złączach tworzą się podwójne ich warstwy,
a poziom Fermiego jest zrównany dla wszystkich trzech warstw tranzystora. Obydwa złącza mają własności prostownicze i przewodzą prąd tylko w kierunku p do n. W przypadku tranzystora złącze emiter baza polaryzujemy w kierunku przewodzenia, a złącze baza kolektor w kierunku zaporowym. W taki sposób spolaryzowany tranzystor przewodzi prąd również w obwodzie kolektor baza, mimo polaryzacji tego złącza na zaporowym.

W złączu emiter baza, spolaryzowanym w kierunku przewodzenia, płyną prądy dziurowy
i elektronowy. Prąd elektronowy płynie w obwodzie baza - emiter - źródło prądu, natomiast dziury płynące z emitera do bazy, na skutek małych rozmiarów bazy, trafiają do kolektora, zwiększając prąd w obwodzie baza - kolektor - źródło prądu IK . Na skutek tego mechanizmu
w obwodzie emitera płynie prąd mniejszy niż w normalnym prostowniku, gdyż określony on jest wyłącznie przez prąd elektronów, natomiast w obwodzie kolektor - baza, spolaryzowanym
w kierunku zaporowym, płynie prąd o natężeniu IK, równym w przybliżeniu prądowi IE
w obwodzie emitera.

  1. Tabelka pomiarowa:

UCE [V]

0,05

0,1

0,15

0,2

0,25

0,3

0,35

IB [mA]

IK [mA]

2

11

39

73

105

110

110

110

3

13

53

140

165

177

180

180

4

16,5

64

165

220

242

250

250

5

18,5

105

190

270

315

320

320

Obliczam współczynnik wzmocnienia prądowego:

0x01 graphic
UCE=const.

  1. Dla UCE=0,05 [V]

Β1=7,5/3=2,5

b) Dla UCE=0,1 [V]

Β2=66/3=22

  1. Dla UCE=0,15 [V]

Β3=117/3=39

d) Dla UCE=0,2 [V]

Β4=165/3=55

  1. Dla UCE=0,25[V]

Β5=205/3=68,33

  1. Dla UCE=0,3[V]

Β6=210/3=70

  1. Dla UCE=0,35[V]

Β7=210/3=70

Wyznaczam opór wyjściowy

0x01 graphic
IB=const.

a) Dla IB=2 [mA]

RWY1=0,3/0,099=3,03Ω

b) Dla IB=3 [mA]

RWY2=0,3/0,167=1,8Ω

c) Dla IB=4 [mA]

RWY3=0,3/0,2335=1,28Ω

d) Dla IB=5 [mA]

RWY4=0,3/0,3015=1,0Ω

0x08 graphic
Zależność prądu IK od pąrdu IB przy U=const.

Linia niebieska przy U=0,05 [V]

Linia zielona przy U=0,1 [V]

Linia czerwona przy U=0,15 [V]

Linia żółta przy U=0,2 [V]

Linia czarna przy U=0,25 [V]

Linia brązowa przy U=0,3 oraz0,35 [V]

Błędy analogowego amperomierza zaznaczone zostały kwadracikami:

0x01 graphic
0x01 graphic

0x08 graphic
Zależności Ik=(UCE) przy IB=const.

Linia niebieska - prąd IB=2 [mA]

Linia zielona - prąd IB=3 [mA]

Linia czerwona - prąd IB=4 [mA]

Linia czarna - prąd IB=5 [mA]

1

1

Politechnika Świętokrzyska w Kielcach

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
e4
Ch6 E4
Ch12 E4
e4
E4 moje
sprawozdanie e4 polaryzacja mikrofal 1
e4 3 polaryzacja mikrofal
E4 do oddania
E4 bragg
e4 sprawko done
miksi+tietokoneen+pit E4 E4+olla+nainen+ 282 29
2 kolokwium E4 Rownania roznicz (listy1 3) id 603289 (2)
e4
2 kolokwium E4 Analiza matematyczna 2, (listy 5-8)
Ch9 E4
E4
14 Preparation for White For 1 e4 Players 06 Robatsch Defense
E4 3
PiFE E4
zaliczenie TM - E4 2, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, politechnika, 3 rok, technika mikroprocesorowa

więcej podobnych podstron