POLITECHNIKA WROC艁AWSKA INSTYTUT FIZYKI |
---|
1. CELE 膯WICZENIA
Celem 膰wiczenia jest:
-zapoznanie si臋 z mechanizmem przep艂ywu pr膮du w p贸艂przewodnikach,
-poznanie w艂a艣ciwo艣ci z艂膮cza p-n i zasad dzia艂ania tranzystora,
-pomiar charakterystyk tranzystora i wyznaczenie kilku jego podstawowych parametr贸w.
UWAGA: W sprawozdaniu u偶ywa si臋 nast臋puj膮cych oznacze艅:
B-baza, E-emiter C-kolektor,
UXX - napi臋cia na z艂膮czu (np. UBE)
IX- pr膮d (np.IC)
2. Wst臋p teoretyczny
Cia艂a sta艂e ze wzgl臋du na ich w艂a艣ciwo艣ci elektryczne mo偶na podzieli膰 na trzy grupy: przewodniki, p贸艂przewodniki i dielektryki (izolatory). Do p贸艂przewodnik贸w nale偶膮 cia艂a, kt贸rych konduktywno艣膰 jest mniejsza od konduktywno艣ci dobrych przewodnik贸w, ale znacznie wi臋ksza od konduktywno艣ci dielektryk贸w. Konduktywno艣膰 p贸艂przewodnik贸w mie艣ci si臋 w bardzo szerokich granicach od 10-8 do 105 惟-1 m-1.
Tranzystor jest przyrz膮dem p贸艂przewodnikowym, umo偶liwiaj膮cym wzmacnianie mocy sygna艂贸w elektrycznych. Tranzystor stanowi kryszta艂 p贸艂przewodnika (np. krzem, german) , w kt贸rym mo偶na wyr贸偶ni膰 dwa obszary o tym samym typie przewodnictwa, zwane emiterem i kolektorem, oraz oddzielaj膮c膮 te obszary warstw臋 o odmiennym typie przewodnictwa, zwan膮 baz膮. Na granicy tych obszar贸w istniej膮 dwa z艂膮cza p-n. Poszczeg贸lne obszary wytwarza si臋 przez wprowadzenie (dyfuzyjne, stopowe) do p贸艂przewodnika domieszek przeciwnego typu ni偶 te, kt贸re ju偶 si臋 w nim znajduj膮.
Istotn膮 rol臋 w dzia艂aniu tranzystora odgrywaj膮 z艂膮cza p-n, powstaj膮ce na granicy p贸艂przewodnik贸w dw贸ch r贸偶nych typ贸w. Z艂膮cza p-n maj膮 w艂asno艣ci prostownicze dzi臋ki barierze energetycznej powstaj膮cej w warstwie zaporowej mi臋dzy obszarami p i n p贸艂przewodnika. Je偶eli zewn臋trznym napi臋ciem UCB spolaryzujemy z艂膮cze baza-kolektor tranzystora p-n-p w ten spos贸b, 偶e do kolektora przy艂o偶ymy potencja艂 ni偶szy ni偶 do bazy, to przy艂o偶one zewn臋trzne napi臋cie jest zgodne z biegunowo艣ci膮 bariery potencja艂u i j膮 powi臋ksza. Odpowiada to zaporowej polaryzacji z艂膮cza; w obwodzie kolektor-baza p艂ynie ma艂y pr膮d no艣nik贸w mniejszo艣ciowych: dziur z bazy do kolektora i elektron贸w z kolektora do bazy. Pr膮d ten ju偶 dla niedu偶ych napi臋膰 zaporowych osi膮ga stan nasycenia. Je偶eli natomiast z艂膮cze emiter-baza spolaryzujemy napi臋ciem UEB w kierunku przepustowym (emiter na potencjale wy偶szym od potencja艂u bazy), to przez z艂膮cze pop艂ynie pr膮d IE no艣nik贸w wi臋kszo艣ciowych z poszczeg贸lnych obszar贸w: elektron贸w z bazy do emitera i dziur z emitera do bazy. Zak艂adaj膮c liniowo艣膰 charakterystyki mo偶na przyj膮膰, 偶e przy sta艂ym napi臋ciu kolektor-baza (UCB=const)
pr膮d kolektora jest proporcjonalny do pr膮du emitera:
IC=伪鈰IE
Wsp贸艂czynnik 伪 okre艣la jaka cz臋艣膰 pr膮du emitera dop艂ywa do kolektora. W dobrych tranzystorach jest on bliski jedno艣ci (od 0,95 do 0,99). Zgodnie z prawem rozp艂ywu pr膮d贸w mamy IE=IC+IB. Poniewa偶 pr膮d IC鈮匢E, wi臋c IB jest stosunkowo ma艂y.
Tranzystor mo偶e pracowa膰 w trzech uk艂adach, w zale偶no艣ci od tego, kt贸ra z trzech elektrod tranzystora jest na wsp贸lnym potencjale wej艣cia i wyj艣cia uk艂adu: ze wsp贸ln膮 baz膮 OB, ze wsp贸lnym emiterem OE, ze wsp贸lnym kolektorem OC.
E C B C B E
l2
l1
U1 U2
B E C
OB OE OC
Charakterystyki tranzystora w szerokim zakresie przebiegaj膮 liniowo, wobec tego sk艂adowe zmienne napi臋cia i pr膮du wyst臋puj膮ce na zaciskach wej艣ciowych i wyj艣ciowych s膮 ze sob膮 powi膮zane pewnymi zale偶no艣ciami liniowymi. Og贸lnie, mo偶na u艂o偶y膰 sze艣膰 par takich r贸wna艅 w zale偶no艣ci od tego jakie napi臋cia i pr膮dy przyjmuje si臋 za zmienne niezale偶ne. Du偶e znaczenie praktyczne ma para r贸wna艅, tzw. mieszanych:
U1=h11鈰I1+h12鈰U2
I2=h21鈰I1+h22鈰U2, w kt贸rych U1, U2, I1, I2 oznaczaj膮 sk艂adowe zmienne napi臋膰 i pr膮d贸w.
Dla uk艂adu OE:
U1=UBE, U2=UCE, I1=IB, I2=IC, hij=hije przy czym i, j=1, 2.
3. UK艁AD POMIAROWY I WYNIKI POMIAR脫W
Uk艂ad pomiaru charakterystyk tranzystora w uk艂adzie OE sk艂ada si臋 z dw贸ch zasilaczy
jako 藕r贸de艂 regulowanych napi臋膰 UCE i UBE , dw贸ch woltomierzy elektronicznych do pomiaru tych napi臋膰, mikroamperomierza do pomiaru pr膮du bazy IB oraz miliamperomierza do pomiaru pr膮du kolektora IC.
C
B mA
uA
dla p-n-p - dla p-n-p -
dla n-p-n + VL VL dla n-p-n +
E
UBE UCE
Wykonali艣my pomiary nast臋puj膮cych charakterystyk:
IC = f(UCE) - dwie warto艣ci IB=30碌A i IB=100碌A,
IC =f(IB) - dwie warto艣ci UCE=2V i UCE=5V,
IB =f(UBE) - dwie warto艣ci UCE=2V i UCE=5V
Tabela pomiar贸w dla warto艣ci IB=30碌A:
UCE[mV] | IC[mA] | P[mW] |
---|---|---|
0,023 | 0,130 | 0,003 |
0,030 | 0,196 | 0,006 |
0,049 | 0,482 | 0,024 |
0,198 | 5,46 | 1,081 |
0,403 | 7,68 | 3,095 |
0,695 | 7,98 | 5,546 |
1,582 | 8,19 | 12,957 |
2,99 | 8,54 | 25,535 |
4,00 | 8,60 | 34,400 |
4,51 | 8,86 | 39,959 |
Tabela pomiar贸w dla warto艣ci IB=100碌A:
UCE[mV] | IC[mA] | P[mW] |
---|---|---|
0,11 | 4,07 | 0,448 |
0,20 | 9,91 | 1,982 |
0,30 | 16,32 | 4,896 |
0,50 | 20,5 | 10,250 |
0,99 | 25,6 | 25,344 |
1,54 | 27,1 | 41,734 |
1,99 | 28,3 | 56,317 |
2,20 | 28,8 | 63,360 |
2,49 | 29,3 | 72,957 |
3,01 | 30,4 | 91,504 |
Tabela pomiar贸w dla warto艣ci UCE=2V:
IB[碌A] | IC[mA] |
---|---|
1,28 | 0,35 |
4,16 | 1,16 |
6,44 | 1,60 |
7,47 | 2,09 |
10,32 | 2,89 |
11,06 | 3,11 |
12,16 | 3,41 |
13,08 | 3,66 |
14,03 | 3,91 |
16,37 | 4,56 |
Tabela pomiar贸w dla warto艣ci UCE=5V:
IB[碌A] | IC[mA] |
---|---|
1,00 | 0,27 |
2,11 | 0,32 |
3,22 | 0,81 |
4,26 | 0,92 |
5,28 | 1,01 |
6,26 | 1,13 |
8,41 | 1,80 |
10,98 | 2,41 |
13,18 | 4,35 |
15,16 | 5,08 |
Tabela pomiar贸w dla warto艣ci UCE=2V:
UBE[mV] | IB[碌A] |
---|---|
66,5 | 1,28 |
70,7 | 4,16 |
72,1 | 6,44 |
72,4 | 7,47 |
73,4 | 10,32 |
73,3 | 11,06 |
73,6 | 12,16 |
73,8 | 13,08 |
73,9 | 14,03 |
74,4 | 16,37 |
Tabela pomiar贸w dla warto艣ci UCE=5V:
UBE[mV] | IB[碌A] |
---|---|
86,5 | 1,00 |
90,7 | 2,11 |
92,1 | 3,22 |
92,3 | 4,26 |
93,5 | 5,28 |
93,7 | 6,26 |
94,2 | 9,41 |
94,5 | 11,98 |
94,8 | 14,18 |
95,1 | 17,16 |
Wykresy charakterystyki tranzystora przedstawiono na do艂膮czonej kartce.
Pomiary wykonano miernikami cyfrowymi o b艂臋dzie systematycznym mniejszym od najmniejszej dzia艂ki. B艂膮d bezwzgl臋dny:
- dla pomiaru UBE wynosi 1 mV,
- dla pomiaru pr膮du IB wynosi 0,1 碌A,
- dla pomiaru pr膮du IC wynosi 0-2 mA - 碌A; 2-20 mA - 10 碌A; 20 - 200 mA - 100 碌A,
- dla pomiaru napi臋cia UCE wynosi 0-2 V - 1 mV; 2-5 V 10 mV,
Dla punkt贸w pracy, le偶膮cych na odcinkach charakterystyk zbli偶onych do liniowych, obliczyli艣my nast臋puj膮ce parametry tranzystora:
h11e-rezystancja wej艣ciowa przy UCE = const,
rwe =470,19惟
h21e-wzmocnienie tranzystora przy UCE = const,
伪 - sprawno艣膰 tranzystora,
h22e-konduktancja wyj艣ciowa IB = const,
rwy =7,38鈥102
Wyznaczanie b艂臋d贸w dla obliczonych parametr贸w tranzystora:
Obliczenie b艂臋d贸w metoda r贸偶niczki logarytmicznej:
B艂膮d wzgl臋dny obliczenia Rwe wynosi:
B艂膮d bezwzgl臋dny wynosi:
B艂膮d wzgl臋dny wyznaczenia warto艣ci 尾 wynosi:
B艂膮d bezwzgl臋dny:
B艂膮d wzgl臋dny wyznaczenia warto艣ci Rwy wynosi:
B艂膮d bezwzgl臋dny wynosi:
B艂膮d wzgl臋dny wyznaczenia 伪 wynosi:
B艂膮d bezwzgl臋dny:
Tabela otrzymanych wynik贸w:
Parametr | B艂膮d wzgl臋dny | B艂膮d bezwzgl臋dny |
---|---|---|
Rwe=470,19 惟 | 未Rwe=0,406 % | bbRwe=0,845 惟 |
尾=294,38 | 未尾=0,182 % | bb尾=0,493 |
伪=0,996 | 未伪=0,182 % | bb伪=0,002 |
Rwy=7,38鈥102 惟 | 未Rwy=0,538 % | bbRwy=18,01 惟 |
Wyznaczone warto艣ci s膮 obarczone pewnym b艂臋dem poniewa偶 przy obliczaniu b艂臋d贸w z r贸偶nicy powinno si臋 bra膰 b艂膮d bezwzgl臋dny odniesiony do dw贸ch ro偶nych warto艣ci, a nie do jednej warto艣ci oraz przemno偶eniu przez 2, lecz poniewa偶 obie warto艣ci bliskie s膮 sobie wiec dla uproszczenia oblicze艅 przyj膮艂em to za艂o偶enie upraszczaj膮ce.
4. ANALIZA B艁臉D脫W I WNIOSKI
Podczas przeprowadzania pomiar贸w wynik艂y pewne b艂臋dy powsta艂e w wyniku braku mo偶liwo艣ci utrzymania odpowiedniego napi臋cia pr膮du.Wyniki przedstawione w tabeli s膮 obarczone b艂臋dami na kt贸re pewien wp艂yw mia艂a jako艣膰 po艂膮cze艅 uk艂adu, a tak偶e przyrz膮dy pomiarowe. Oczywi艣cie dla przyrz膮d贸w cyfrowych wielko艣ci tych b艂臋d贸w mo偶emy pomin膮膰. Jednak偶e suma tych b艂臋d贸w w istotny spos贸b wp艂yn臋艂a na wyniki i na dok艂adno艣膰 charakterystyki badanego tranzystora. W czasach wsp贸艂czesnych tranzystor znalaz艂 szerokie zastosowanie w technice dzi臋ki w艂a艣ciwo艣ciom wzmacniania pr膮du. Zast膮pi艂 on wcze艣niej stosowan膮 lamp臋.