,Laboratorium podstaw fizyki,篸anie w艂a艣ciwo艣ci tranzystor贸w

POLITECHNIKA WROC艁AWSKA

INSTYTUT FIZYKI

1. CELE 膯WICZENIA

Celem 膰wiczenia jest:

-zapoznanie si臋 z mechanizmem przep艂ywu pr膮du w p贸艂przewodnikach,

-poznanie w艂a艣ciwo艣ci z艂膮cza p-n i zasad dzia艂ania tranzystora,

-pomiar charakterystyk tranzystora i wyznaczenie kilku jego podstawowych parametr贸w.

UWAGA: W sprawozdaniu u偶ywa si臋 nast臋puj膮cych oznacze艅:

B-baza, E-emiter C-kolektor,

UXX - napi臋cia na z艂膮czu (np. UBE)

IX- pr膮d (np.IC)

2. Wst臋p teoretyczny

Cia艂a sta艂e ze wzgl臋du na ich w艂a艣ciwo艣ci elektryczne mo偶na podzieli膰 na trzy grupy: przewodniki, p贸艂przewodniki i dielektryki (izolatory). Do p贸艂przewodnik贸w nale偶膮 cia艂a, kt贸rych konduktywno艣膰 jest mniejsza od konduktywno艣ci dobrych przewodnik贸w, ale znacznie wi臋ksza od konduktywno艣ci dielektryk贸w. Konduktywno艣膰 p贸艂przewodnik贸w mie艣ci si臋 w bardzo szerokich granicach od 10-8 do 105-1 m-1.

Tranzystor jest przyrz膮dem p贸艂przewodnikowym, umo偶liwiaj膮cym wzmacnianie mocy sygna艂贸w elektrycznych. Tranzystor stanowi kryszta艂 p贸艂przewodnika (np. krzem, german) , w kt贸rym mo偶na wyr贸偶ni膰 dwa obszary o tym samym typie przewodnictwa, zwane emiterem i kolektorem, oraz oddzielaj膮c膮 te obszary warstw臋 o odmiennym typie przewodnictwa, zwan膮 baz膮. Na granicy tych obszar贸w istniej膮 dwa z艂膮cza p-n. Poszczeg贸lne obszary wytwarza si臋 przez wprowadzenie (dyfuzyjne, stopowe) do p贸艂przewodnika domieszek przeciwnego typu ni偶 te, kt贸re ju偶 si臋 w nim znajduj膮.

Istotn膮 rol臋 w dzia艂aniu tranzystora odgrywaj膮 z艂膮cza p-n, powstaj膮ce na granicy p贸艂przewodnik贸w dw贸ch r贸偶nych typ贸w. Z艂膮cza p-n maj膮 w艂asno艣ci prostownicze dzi臋ki barierze energetycznej powstaj膮cej w warstwie zaporowej mi臋dzy obszarami p i n p贸艂przewodnika. Je偶eli zewn臋trznym napi臋ciem UCB spolaryzujemy z艂膮cze baza-kolektor tranzystora p-n-p w ten spos贸b, 偶e do kolektora przy艂o偶ymy potencja艂 ni偶szy ni偶 do bazy, to przy艂o偶one zewn臋trzne napi臋cie jest zgodne z biegunowo艣ci膮 bariery potencja艂u i j膮 powi臋ksza. Odpowiada to zaporowej polaryzacji z艂膮cza; w obwodzie kolektor-baza p艂ynie ma艂y pr膮d no艣nik贸w mniejszo艣ciowych: dziur z bazy do kolektora i elektron贸w z kolektora do bazy. Pr膮d ten ju偶 dla niedu偶ych napi臋膰 zaporowych osi膮ga stan nasycenia. Je偶eli natomiast z艂膮cze emiter-baza spolaryzujemy napi臋ciem UEB w kierunku przepustowym (emiter na potencjale wy偶szym od potencja艂u bazy), to przez z艂膮cze pop艂ynie pr膮d IE no艣nik贸w wi臋kszo艣ciowych z poszczeg贸lnych obszar贸w: elektron贸w z bazy do emitera i dziur z emitera do bazy. Zak艂adaj膮c liniowo艣膰 charakterystyki mo偶na przyj膮膰, 偶e przy sta艂ym napi臋ciu kolektor-baza (UCB=const)

pr膮d kolektora jest proporcjonalny do pr膮du emitera:

IC=伪IE

Wsp贸艂czynnik 伪 okre艣la jaka cz臋艣膰 pr膮du emitera dop艂ywa do kolektora. W dobrych tranzystorach jest on bliski jedno艣ci (od 0,95 do 0,99). Zgodnie z prawem rozp艂ywu pr膮d贸w mamy IE=IC+IB. Poniewa偶 pr膮d IC鈮匢E, wi臋c IB jest stosunkowo ma艂y.

Tranzystor mo偶e pracowa膰 w trzech uk艂adach, w zale偶no艣ci od tego, kt贸ra z trzech elektrod tranzystora jest na wsp贸lnym potencjale wej艣cia i wyj艣cia uk艂adu: ze wsp贸ln膮 baz膮 OB, ze wsp贸lnym emiterem OE, ze wsp贸lnym kolektorem OC.

E C B C B E

l2

l1

U1 U2

B E C

OB OE OC

Charakterystyki tranzystora w szerokim zakresie przebiegaj膮 liniowo, wobec tego sk艂adowe zmienne napi臋cia i pr膮du wyst臋puj膮ce na zaciskach wej艣ciowych i wyj艣ciowych s膮 ze sob膮 powi膮zane pewnymi zale偶no艣ciami liniowymi. Og贸lnie, mo偶na u艂o偶y膰 sze艣膰 par takich r贸wna艅 w zale偶no艣ci od tego jakie napi臋cia i pr膮dy przyjmuje si臋 za zmienne niezale偶ne. Du偶e znaczenie praktyczne ma para r贸wna艅, tzw. mieszanych:

U1=h11I1+h12U2

I2=h21I1+h22U2, w kt贸rych U1, U2, I1, I2 oznaczaj膮 sk艂adowe zmienne napi臋膰 i pr膮d贸w.

Dla uk艂adu OE:

U1=UBE, U2=UCE, I1=IB, I2=IC, hij=hije przy czym i, j=1, 2.

3. UK艁AD POMIAROWY I WYNIKI POMIAR脫W

Uk艂ad pomiaru charakterystyk tranzystora w uk艂adzie OE sk艂ada si臋 z dw贸ch zasilaczy

jako 藕r贸de艂 regulowanych napi臋膰 UCE i UBE , dw贸ch woltomierzy elektronicznych do pomiaru tych napi臋膰, mikroamperomierza do pomiaru pr膮du bazy IB oraz miliamperomierza do pomiaru pr膮du kolektora IC.

C

B mA

uA

dla p-n-p - dla p-n-p -

dla n-p-n + VL VL dla n-p-n +

E

UBE UCE

Wykonali艣my pomiary nast臋puj膮cych charakterystyk:

IC = f(UCE) - dwie warto艣ci IB=30碌A i IB=100碌A,

IC =f(IB) - dwie warto艣ci UCE=2V i UCE=5V,

IB =f(UBE) - dwie warto艣ci UCE=2V i UCE=5V

Tabela pomiar贸w dla warto艣ci IB=30碌A:

UCE[mV] IC[mA] P[mW]
0,023 0,130 0,003
0,030 0,196 0,006
0,049 0,482 0,024
0,198 5,46 1,081
0,403 7,68 3,095
0,695 7,98 5,546
1,582 8,19 12,957
2,99 8,54 25,535
4,00 8,60 34,400
4,51 8,86 39,959

Tabela pomiar贸w dla warto艣ci IB=100碌A:

UCE[mV] IC[mA] P[mW]
0,11 4,07 0,448
0,20 9,91 1,982
0,30 16,32 4,896
0,50 20,5 10,250
0,99 25,6 25,344
1,54 27,1 41,734
1,99 28,3 56,317
2,20 28,8 63,360
2,49 29,3 72,957
3,01 30,4 91,504

Tabela pomiar贸w dla warto艣ci UCE=2V:

IB[碌A] IC[mA]
1,28 0,35
4,16 1,16
6,44 1,60
7,47 2,09
10,32 2,89
11,06 3,11
12,16 3,41
13,08 3,66
14,03 3,91
16,37 4,56

Tabela pomiar贸w dla warto艣ci UCE=5V:

IB[碌A] IC[mA]
1,00 0,27
2,11 0,32
3,22 0,81
4,26 0,92
5,28 1,01
6,26 1,13
8,41 1,80
10,98 2,41
13,18 4,35
15,16 5,08

Tabela pomiar贸w dla warto艣ci UCE=2V:

UBE[mV] IB[碌A]
66,5 1,28
70,7 4,16
72,1 6,44
72,4 7,47
73,4 10,32
73,3 11,06
73,6 12,16
73,8 13,08
73,9 14,03
74,4 16,37

Tabela pomiar贸w dla warto艣ci UCE=5V:

UBE[mV] IB[碌A]
86,5 1,00
90,7 2,11
92,1 3,22
92,3 4,26
93,5 5,28
93,7 6,26
94,2 9,41
94,5 11,98
94,8 14,18
95,1 17,16

Wykresy charakterystyki tranzystora przedstawiono na do艂膮czonej kartce.

Pomiary wykonano miernikami cyfrowymi o b艂臋dzie systematycznym mniejszym od najmniejszej dzia艂ki. B艂膮d bezwzgl臋dny:

- dla pomiaru UBE wynosi 1 mV,

- dla pomiaru pr膮du IB wynosi 0,1 碌A,

- dla pomiaru pr膮du IC wynosi 0-2 mA - 碌A; 2-20 mA - 10 碌A; 20 - 200 mA - 100 碌A,

- dla pomiaru napi臋cia UCE wynosi 0-2 V - 1 mV; 2-5 V 10 mV,

Dla punkt贸w pracy, le偶膮cych na odcinkach charakterystyk zbli偶onych do liniowych, obliczyli艣my nast臋puj膮ce parametry tranzystora:

h11e-rezystancja wej艣ciowa przy UCE = const,

rwe =470,19惟

h21e-wzmocnienie tranzystora przy UCE = const,

伪 - sprawno艣膰 tranzystora,

h22e-konduktancja wyj艣ciowa IB = const,

rwy =7,38鈥102

Wyznaczanie b艂臋d贸w dla obliczonych parametr贸w tranzystora:

Obliczenie b艂臋d贸w metoda r贸偶niczki logarytmicznej:

B艂膮d wzgl臋dny obliczenia Rwe wynosi:

B艂膮d bezwzgl臋dny wynosi:

B艂膮d wzgl臋dny wyznaczenia warto艣ci 尾 wynosi:

B艂膮d bezwzgl臋dny:

B艂膮d wzgl臋dny wyznaczenia warto艣ci Rwy wynosi:

B艂膮d bezwzgl臋dny wynosi:

B艂膮d wzgl臋dny wyznaczenia 伪 wynosi:

B艂膮d bezwzgl臋dny:

Tabela otrzymanych wynik贸w:

Parametr B艂膮d wzgl臋dny B艂膮d bezwzgl臋dny
Rwe=470,19 惟 未Rwe=0,406 % bbRwe=0,845 惟
尾=294,38 未尾=0,182 % bb尾=0,493
伪=0,996 未伪=0,182 % bb伪=0,002
Rwy=7,38鈥102 未Rwy=0,538 % bbRwy=18,01 惟

Wyznaczone warto艣ci s膮 obarczone pewnym b艂臋dem poniewa偶 przy obliczaniu b艂臋d贸w z r贸偶nicy powinno si臋 bra膰 b艂膮d bezwzgl臋dny odniesiony do dw贸ch ro偶nych warto艣ci, a nie do jednej warto艣ci oraz przemno偶eniu przez 2, lecz poniewa偶 obie warto艣ci bliskie s膮 sobie wiec dla uproszczenia oblicze艅 przyj膮艂em to za艂o偶enie upraszczaj膮ce.

4. ANALIZA B艁臉D脫W I WNIOSKI

Podczas przeprowadzania pomiar贸w wynik艂y pewne b艂臋dy powsta艂e w wyniku braku mo偶liwo艣ci utrzymania odpowiedniego napi臋cia pr膮du.Wyniki przedstawione w tabeli s膮 obarczone b艂臋dami na kt贸re pewien wp艂yw mia艂a jako艣膰 po艂膮cze艅 uk艂adu, a tak偶e przyrz膮dy pomiarowe. Oczywi艣cie dla przyrz膮d贸w cyfrowych wielko艣ci tych b艂臋d贸w mo偶emy pomin膮膰. Jednak偶e suma tych b艂臋d贸w w istotny spos贸b wp艂yn臋艂a na wyniki i na dok艂adno艣膰 charakterystyki badanego tranzystora. W czasach wsp贸艂czesnych tranzystor znalaz艂 szerokie zastosowanie w technice dzi臋ki w艂a艣ciwo艣ciom wzmacniania pr膮du. Zast膮pi艂 on wcze艣niej stosowan膮 lamp臋.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
,Laboratorium podstaw fizyki,?danie drga艅 wymuszonych
,Laboratorium podstaw fizyki,?danie zale偶no艣ci rezystancji od temperatury dla metali i p贸艂przewodnik
,Laboratorium podstaw fizyki,?danie modu艂u Peltiera
,Laboratorium podstaw fizyki,?DANIE RUCHU PRECESYJNEGO 呕YROSKOPU
,Laboratorium podstaw fizyki,?DANIE W艁ASNO艢CI DIOD P脫艁PRZEWODNIKOWYCH
,Laboratorium podstaw fizyki, WYZNACZANIE ZALEZNOSCI CIEPLA WLASCIWEGO CIAL STALYCH OD TEMPERATURYx
,laboratorium podstaw fizyki,WYZNACZANIE ZALEZNOSCI CIEPLA WLASCIWEGO CIAL STALYCH OD TEMPERATURY
Laboratorium Podstaw Fizyki spr( Wyznaczanie ciep艂a w艂a艣ciwego cia艂 sta艂ych metod膮 kalorymetryczn膮
fiele25, Mechanika i Budowa Maszyn PWR MiBM, Semestr I, Fizyka, laborki, sprawozdania z fizykii, Lab
,Laboratorium podstaw fizyki, WYZNACZANIE WSP脫艁CZYNNIKA ROZSZERZALNO艢CI LINIOWEJ METOD膭
Laboratorium podstaw fizyki 膰w ?
Laboratorium Podstaw Fizykipa
Laboratorium Podstaw Fizykiw
Laboratorium Podstaw Fizyki id Nieznany
fiele15, Mechanika i Budowa Maszyn PWR MiBM, Semestr I, Fizyka, laborki, sprawozdania z fizykii, Lab
,laboratorium podstaw fizyki, pytania do laborek
,laboratorium podstaw fizyki,WYZNACZENIE G臉STO艢CI CIA艁 STA艁YCH
,Laboratorium podstaw fizyki, Sprawdzanie prawa Stefana Boltzmanna
Laboratorium podstaw fizyki 膰w 3 d, e

wi臋cej podobnych podstron