Politechnika Opolska |
---|
LABORATORIUM
PRZEDMIOT: Laboratorium Materiałoznawstwa |
---|
Kierunek studiów: | Automatyka i Robotyka |
Rok studiów: | II |
---|---|---|---|
Semestr: | III | Rok akademicki: | 2012/2013 |
Temat ćwiczenia: |
---|
Badanie zjawiska Halla |
Projekt wykonali: |
---|
Nazwisko i imię: |
1. |
3. |
Ocena: | Data: | Uwagi: |
---|---|---|
Termin zajęć: 30.11.2012 |
---|
Dzień tygodnia: |
Termin oddania projektu: | 07.12.2012 | Projekt oddano: |
---|
1. Wstęp teoretyczny:
Jeżeli płytkę wykonaną z metalu lub półprzewodnika włączymy w obwód prądu stałego i umieścimy ją w polu magnetycznym, którego wektor natężenia pola jest prostopadły do płytki i kierunku przepływającego prądu, to między krawędziami płytki powstanie różnica potencjałów nazywana napięciem Halla. Efekt ten nazwany od nazwiska odkrywcy E. H. Hall, który zaobserwował go w cienkiej folii aluminiowej.
Przyczynę powstania zjawiska Hall można wyjaśnić analizując tor ruchu ładunku w płytce typu n (rys). Nośnikiem prądu w takim przypadku są swobodne elektrony, które pod wpływem pola elektrycznego poruszają się zgodnie z kierunkiem wektora prędkości v, a przeciwnie do kierunku przepływu prądu I (przy uwzględnieniu obowiązującej umowy).
W obecności pola magnetycznego na elektron działa siła Lorentza Fm,(reguła lewej ręki) którą można opisać wzorem:
gdzie: g - ładunek nośnika (elektron)
- wektor prędkości
- wektor indukcji magnetycznej
rys. Zjawisko Halla w płytce półprzewodnika typu n
Siła Fm powoduje odchylenie toru elektronu (linia przerywana na rysunku) od pierwotnego kierunku ruchu. W ten sposób elektrony, przepływające przez badaną próbkę przewodnika zaczynają się gromadzić na jednej ze ścianek. Proces ten trwa tak długo, aż powstanie na tyle duża różnica potencjałów miedzy ściankami, że poprzeczne pole elektryczne EH, oddziaływujące siłą Fe na przemieszczający się elektron, zrównoważy siłę Lorentza Fm
2. Wykorzystany układ pomiarowy:
3. Obliczenia:
a) Dla przebiegu Uh = f(Ip) przeprowadzamy aproksymację i określamy współczynnik proporcjonalności dla równania opisującego tę zależność : Uh = αIp
$$\left\{ \begin{matrix}
5 = 5,4a + b \\
10 = 11,4a + b \\
\end{matrix} \right.\ $$
$$\left\{ \begin{matrix}
a = 0,83 \\
b = - 38,9 \\
\end{matrix} \right.\ $$
Uh = aIp + b
Uh = 0, 83Ip − 38, 9
z czego wynika ze α = 0, 83.
b) Dla przebiegu Up = f(Ip) przeprowadzamy aproksymację i określamy rezystancję próbki R0 (w temperaturze pokojowej), jako współczynnik nachylenia prostej opisującej to równanie:
$$\left\{ \begin{matrix}
- 1,17 = - 0,03a + b \\
1,16 = 0,03a + b \\
\end{matrix} \right.\ $$
$$\left\{ \begin{matrix}
a = 38,8 \\
b = 2,32 \\
\end{matrix} \right.\ $$
Up = aIp − b
Up = 38, 8 Ip − 2, 32
$$R_{0} = 38,8\frac{V}{A} = 39\ \mathrm{\Omega}$$
c) Dla uzyskanej charakterystyki $\ln{\sigma = f(\frac{1}{T})}$ oszacować szerokość pasma wzbronionego Eg.
Szerokość pasma wzbronionego Eg możemy obliczyć z zależności:
$$\sigma = \sigma_{0}e^{\frac{- E_{g}}{2kT}}$$
$$ln\ \sigma = ln\ \sigma_{0}\frac{- E_{g}}{2kT}$$
$$b = - \frac{E_{g}}{2k}$$
Eg = −b • 2k
gdzie:
b – współczynnik nachylenia prostej równy -0,40
Eg - szerokość pasma wzbronionego
k – stała Boltzmana równa $8,625 \bullet 10^{- 5}\frac{\text{eV}}{K}$
Eg = −(−0,4) • 2 • 8, 625 • 10−5 = 6, 9 • 10−5 [eV]
d) Dla funkcji Uh = f(B) przeprowadzić regresję, wyznaczyć nachylenie prostej i obliczyć stałą Halla, wyznaczyć ruchliwość ładunków, przewodność w temperaturze pokojowej oraz koncentrację ładunków (dziur) w półprzewodniku typu „p”.
Po przeprowadzeniu aproksymacji funkcji Uh = f(B) nachylenie b uzyskanej prostej otrzymujemy z zależności Uh = b • B + U0
po podstawieniu: Uh = 165, 1 B + 0, 1.
Stąd współczynnik b jest równy 165,1. Korzystając z tego współczynnika obliczamy stałą Halla ze wzoru:
$$R_{H} = \frac{U_{H}}{B} \bullet \frac{d}{I_{p}} = b \bullet \frac{d}{I_{p}}$$
gdzie:
d – grubość próbki wynosząca 10−3 m
b – nachylenie prostej
Ip - natężenie prądu równe 0,030 A
$$R_{H} = 165,1 \bullet 10^{- 3} \bullet \frac{10^{- 3}}{0,03} = 5,5 \bullet 10^{- 3}\lbrack\frac{m}{A}\rbrack$$
Przewodność w temperaturze pokojowej wyznaczamy ze wzoru:
$$\sigma_{0} = \frac{l}{R_{0} \bullet A}$$
gdzie:
l – długość wynosząca 0,02 m
R0 – rezystancja wyznaczona z charakterystyki Up = f(Ip) równa 39 Ω
A – przekrój równy 10−5 m2
$$\sigma_{0} = \frac{0,02}{39 \bullet 10^{- 5}} = 51,28\ \lbrack\frac{1}{\mathrm{\Omega} \bullet m}\rbrack$$
Na podstawie konduktywności możemy obliczyć ruchliwość ładunków:
$$\mu_{h} = R_{H} \bullet \sigma_{0} = 5,5 \bullet 10^{- 3} \bullet \ 51,28 = 0,28\lbrack\frac{1}{V}\rbrack\ $$
Z kolei koncentrację ładunków (dziur) dla półprzewodnika typu „p” obliczamy ze wzoru:
$$p = \frac{1}{R_{H} \bullet e}$$
gdzie e jest ładunkiem elementarnym o wartości 1, 602 • 10−19As.
Stąd otrzymujemy wynik:
$$p = \frac{1}{5,5 \bullet 10^{- 3} \bullet 1,602 \bullet 10^{- 19}} = 1,135 \bullet 10^{21}\lbrack\frac{1}{\text{ms}}\rbrack$$
4.Wnioski:
Ćwiczenie przebiegło zgonie z założeniami zawartych w instrukcji i bez większych problemów. Po wykonaniu ćwiczenia otrzymaliśmy wykresy i pomiary według których możemy stwierdzić, że wraz z liniowym wzrostem prądu Ip płynącego, przy ustalonej indukcji magnetycznej B napięcie Halla Uh między zaciskami rośnie również liniowo i jego wartości są małe w stosunku do napięcia próbki Up, które również rośnie liniowo.
Dzięki ćwiczeniom poznajemy, na czym polega zjawisko Halla, jak możemy je wyznaczyć i jego zastosować w różnych dziedzinach nauki.