Model pasmowy ciała stałego dla:
-metali: skłąda się z 2 pasm. Pasma walencyjnego (zakres energii jaką posiadają elektrony walencyjne związane z jądrem atomu) oraz pasma przewodnictwa ( zakres energii jaką posiadają elektrony walencyjne uwolnione z atomu, będące wówczas nośnikami swobodnymi w ciele stałym).
-półprzewodnków: składa się z 3 pasm. Pasma walncyjnego oraz pasma przewodnictwa które są oddzielone od siebie niezbyt szerokim pasmem zabronionym, który jest przerwą energetyczną.
-izolatorów: skłąda się z 3 pasm. Zbudowany jak w przypadku półprzewodników lecz pasmo wzbronione jest na tyle duże że pokonanie tej przewy wymaga dostarczenia energii równej energi niszczącej dany izolator.
Wpływ temperatury na przewodnictwo:
W przypadku metali zwiększenie temperatury powoduje rozproszenie cieplne elektronów na sieci metalicznej co powoduje wzrost przwodnictwa.
W przypadku półprzewodników, w których wiązania kowalencyjne są słabe, podczas podnoszenia temperatury pękają one co powoduje uwolnienie elektronów. Miejsce po elektronie (-) to dziura elektronowa (+).
Półprzewodniki samoistne (czyste): liczba elektroów eówna się liczbie dziur.
Półprzewodniki domieszkiwalne dzielimy na dwie grupy:
-typu p (positive +): zamiast atomu Si lub Gr wprowadza się atom o trzech elektronach walencyjnych (B, Al., Ga). W miejscu brakującego wiązania powstaje dziura (+). Proces powtarza się cyklicznie- sąsiedni elektron przeskakuje do dziury pozostawiając wolnemiejsce po sobie tzn kolejną dziurę.
-typu n (negative -): zamiast atomu Si lub Gr wprowadza się atom o pięciu elektronach walencyjnych (P, As, Sb). Piąty elektron, nie biorący udziału w wiązaniach staje się elektronem swobodnym.
Zbadanie zależności rezystancji przewodnika metalowego i półprzewodnika od temperatury. Wyznaczenie temperaturowych współczynników zmiany rezystancji dla rezystora metalicznego i dla półprzewodnika. Obliczenie szerokości przerwy energetycznej między pasmem przewodnictwa a pasmem walencyjnym dla półprzewodnika.
Zestaw pomiarowy składa się z naczynia wpełnionego olejem silikonowym i podgrzewanego prądem elektrycznym. Badane rezystory znajdują się w kąpieli olejowej. Pomiar rezystencji dla określonej temperatury wykonujemy miernikiem elektrycznym RLC w zakresie rezystancji.
Wyniki pomiarów zamieszczone w tabeli:
l.p | t [ ̊C] | T [K] | R [Ω] | RT [Ω] |
---|---|---|---|---|
1 | 34 | 307 | 0,972 | 0,672 |
2 | 37 | 310 | 1,003 | 0,625 |
3 | 44 | 317 | 1,023 | 0,51 |
4 | 51 | 324 | 1,073 | 0,427 |
5 | 58 | 331 | 1,1 | 0,364 |
6 | 65 | 338 | 1,12 | 0,308 |
7 | 72 | 345 | 1,136 | 0,262 |
8 | 79 | 352 | 1,156 | 0,23 |
9 | 86 | 359 | 1,185 | 0,199 |
10 | 93 | 366 | 1,226 | 0,138 |
11 | 100 | 373 | 1,234 | 0,135 |
Wyniki pomiarów opracowane metodą najmniejszych kwadratów dla X= t [̊C] i Y= R [Ω]:
X | Y | X^2 | XY | Y^2 | X+Y | (X+Y)^2 | (Y-aX-b)^2 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
34 | 0,972 | 1156 | 33,048 | 0,945 | 34,972 | 1223,041 | 3,7E-04 | |
37 | 1,003 | 1369 | 37,111 | 1,006 | 38,003 | 1444,228 | 5,9E-08 | |
44 | 1,023 | 1936 | 45,012 | 1,047 | 45,023 | 2027,071 | 4,4E-05 | |
51 | 1,073 | 2601 | 54,723 | 1,151 | 52,073 | 2711,597 | 2,7E-04 | |
58 | 1,1 | 3364 | 63,800 | 1,210 | 59,100 | 3492,810 | 2,8E-04 | |
65 | 1,12 | 4225 | 72,800 | 1,254 | 66,120 | 4371,854 | 9,5E-05 | |
72 | 1,136 | 5184 | 81,792 | 1,290 | 73,136 | 5348,874 | 1,2E-06 | |
79 | 1,156 | 6241 | 91,324 | 1,336 | 80,156 | 6424,984 | 6,4E-05 | |
86 | 1,185 | 7396 | 101,910 | 1,404 | 87,185 | 7601,224 | 3,4E-05 | |
93 | 1,226 | 8649 | 114,018 | 1,503 | 94,226 | 8878,539 | 6,9E-05 | |
100 | 1,234 | 10000 | 123,400 | 1,523 | 101,234 | 10248,323 | 1,1E-04 | |
suma | 719 | 12,228 | 52121 | 818,938 | 13,670 | 731,228 | 53772,546 | 1,3E-03 |
Następnie ze wzorów z instrukcji 17 obliczamy współczynniki regresji a i b oraz korelacji R:
a = 3, 8−+0, 2
b = 860−+12
R = 0, 99
R jest bliskie 1 co oznacza że zależność jest praktycznie liniowa co widac na wykresie.
R0 odpowiadające t = 0̊C wynosi dokładnie tyle ile współczynniek regresji b, tzn 860.
Wyznaczam temperaturowy współczynnik rezystywności.
$$a_{r} = \ \frac{Y - b}{X*b}$$
Podstawiając odpowiednie wartości do wzoru otrzymujemy ar = 4,395
Następnie przy pomocy metody najmniejszych kwadratów obliczam wartości dla termistora:
T [K] | RT [Ω] | X= 1/T | Y=ln(Rt) | x^2 | y^2 | xy |
---|---|---|---|---|---|---|
307 | 672 | 0,00326 | 6,510 | 1,06E-05 | 42,383 | 0,0212 |
310 | 625 | 0,00323 | 6,438 | 1,04E-05 | 41,445 | 0,0208 |
317 | 510 | 0,00315 | 6,234 | 9,95E-06 | 38,868 | 0,0197 |
324 | 427 | 0,00309 | 6,057 | 9,53E-06 | 36,685 | 0,0187 |
331 | 364 | 0,00302 | 5,897 | 9,13E-06 | 34,776 | 0,0178 |
338 | 308 | 0,00296 | 5,730 | 8,75E-06 | 32,834 | 0,0170 |
345 | 262 | 0,00290 | 5,568 | 8,4E-06 | 31,006 | 0,0161 |
352 | 230 | 0,00284 | 5,438 | 8,07E-06 | 29,573 | 0,0154 |
359 | 199 | 0,00279 | 5,293 | 7,76E-06 | 28,019 | 0,0147 |
366 | 138 | 0,00273 | 4,927 | 7,47E-06 | 24,278 | 0,0135 |
373 | 135 | 0,00268 | 4,905 | 7,19E-06 | 24,062 | 0,0132 |
suma | 0,0326 | 62,999 | 9,73E-05 | 4332,767 | 2,2445 |
Zależność przedstawia wykres (zależność również jest liniowa):
Y = AX + B gdzie A = 2800, 6−+14, 5 oraz B = − 2, 6−+0, 4
Następnie aby obliczyć szerokość przerwy energetycznej ΔE podstawiam odpowiednie wartości pod oznaczenia z równania:
$$\ln\left( R_{T} \right) = \ln\left( R_{T_{0}} \right) + \frac{a}{T}$$
ln(RT) – Y
$\frac{1}{T}$ - X
a - A
ln(RT0) – B
E = 2ka
k = 1,38 x 10-23 J/K = 8,62 x 10-5 eV/K
E = 0, 48−+0, 03 eV
Wyniki otrzymane dla przewodnika:
a = 3, 8−+0, 2
b = 860−+10 [Ω]
R = 0, 99
ar = 4,395 [K-1] (temperaturowy współczynnik rezystywności)
Wyniki otrzymane dla półprzewodnika:
A = 2800−+10 [K]
B = − 2, 6−+0, 4 [Ω]
E = (0, 48−+0, 03) eV
Błędy którymi obarczone są wyniki otrzymane w ćwiczeniu mają jedną zasadniczą przyczynę :
- odczyt temperatury na skali termometru przy szybkich zmianach jej wartości był jedynie przybliżony co spowodowało niewielkie rozbieżności wyników (dla tej samej temperatury) otrzymanych przy ogrzewaniu i chłodzeniu rezystorów
Zależności określone w ćwiczeniu (zarówno lnRt=f(1000/T) , jak i Rm=f(t)) mają postać linii prostych, zgodnie z wytycznymi teoretycznymi na ten temat. Eksperyment potwierdza w granicach błędu liniowy związek miedzy temperaturą metalu a jego rezystancją.
Wykonane ćwiczenie dowodzi, ze wraz ze wzrostem temperatury półprzewodnika rośnie liczba elektronów w pasmie przewodnictwa, a tym samym maleje jego rezystancja. Również szerokość pasma wzbronionego dla półprzewodnika E = 0,48 eV pokrywają się z wartościami podawanymi w tablicach .