Elektronika W Zad cz 2 6

Elektronika W Zad cz 2 6



W. Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3- Analiza malosygnalowa układów półprzewodnikowych

Jest to wartość średnia dla zmian położenia punktu pracy symetrycznych względem P (od P1 do P2). Z danych liczbowych wynika, że dla zmiany położenia punktu pracy od PI do P oraz od P do P2 uzyskujemy takie same przyrosty Ic, co świadczy o tym że charakterystyka wyjściowa tranzystora /c= f(UCE) dla stałego prądu bazy !b= 150 pA może być uważana w rozpatrywanym zakresie za liniową. Ilustracja graficzna uzyskanego wyniku na wykonanym z zachowaniem skali rysunku 3.1.2 jest możliwa tylko na charakterystykach wyjściowych tranzystora - wartość liczbowa parametru ti22e odpowiada nachyleniu fragmentu charakterystyki wyjściowej (pokazanego ciągłą linią pogrubioną) w okolicy punktu pracy P. Na charakterystykach przejściowych tranzystora odpowiedni odcinek ma zbyt małą długość, aby jego pokazanie w przyjętej skali było możliwe.

Rys. 3.1.2 Ilustracja graficzna obliczenia wartości liczbowych parametrów h22 i h22 na charakterystykach statycznych tranzystora


Zgodnie z podaną we Wprowadzeniu definicją W3.12 wartość liczbową parametru fi2ie (czyli zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora) obliczamy jako:


uCFin=xv


— = 118


(3.1.2)


21,96-10,11 mA _ 11,85 niA 200-100 fxA ~ 100 piA

Na rysunku 3.1.2 wynik ten można zilustrować graficznie zarówno na charakterystykach przejściowych tranzystora jako nachylenie fragmentu charakterystyki dla parametru Uce- 8V w okolicy punktu pracy P (tj. fragmentu pokazanego pogrubioną linią przerywaną), jak i na charakterystykach wyjściowych przez odczytanie przyrostu prądu Ic dla stałej wartości Uce = 8 V, tj. pionowo pomiędzy dwiema charakterystykami wyjściowymi odpowiadającymi dwu wartościom prądu bazy. Obliczona wartość liczbowa /i2/f to wartość średnia dla zmian położenia punktu pracy symetrycznych względem położenia P (od P3 do P4). Z danych liczbowych wynika, że dla zmiany położenia punktu pracy od P do P3 uzyskujemy nieco większą od tej średniej wartość parametru /i2/e = 120, a dla zmiany od P do P4 nieco mniejszą /i2^=H7. Świadczy to o pewnej nieliniowości charakterystyki przejściowej tranzystora /c = f(/a), z powodu której wyniki obliczeń np. wzmocnienia prądowego lub napięciowego (wzmacniacza zbudowanego przy wykorzystaniu badanego tranzystora pracującego w rozpatrywanym punkcie pracy) mogą okazać się niedokładne dla dużych sygnałów (dużych zmian położenia punktu pracy tranzystora).

W Ciązyitaki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Częsc 3' Analiza malosygnalowa układów półprzewodnikowych

powered by

Mi siol


Zadanie 3.2

Rys. 3.2.1 Układ pomiarowy do zdejmowania charakterystyk wejściowych i oddziaływania zwrotnego tranzystora npn w konfiguracji WE


W układzie pomiarowym jak na rysunku 3.2.1 do zdejmowania charakterystyk statycznych tranzystora krzemowego npn prąd bazy był nastawiany za pomocą dokładnego regulowanego źródła prądowego, a napięcie zasilające obwód kolektora było nastawiane za pomocą regulowanego źródła napięciowego. Napięcie UBE i prąd bazy Imierzono w układzie poprawnie mierzonego napięcia, przy czym jednak prąd Iv pobierany przez woltomierz był znikomy (rezystancja wewnętrzna woltomierza Rv wynosiła 10 Mft, co przy 0,6 V daje prąd Iv= 60 nA). Mierzony prąd może być więc uważany za prąd bazy.

Na podstawie podanego fragmentu tabeli wyników pomiarowych należy wyznaczyć wartości parametrów he (tych, których wyznaczenie jest możliwe) dla punktu pracy P określonego przez prąd IB = 150 pA i napięcie Uce = 8 V. Należy także zaproponować uzupełnienie układu pomiarowego pozwalające na wyznaczenie wszystkich 4-ch parametrów he.

Uce [V]

IB=...liA | IB = 140 pA | IB = 150 pA | /B = 160 pA |/g=...pA

_Uje [mV]__

....

2

588

603

617

4

587

602

616

6

586

615

8

585

(P) 600

614

10

584

599

613

12

. . .

583

598

612

Rozwiązanie

Dysponujemy tylko danymi, przy wykorzystaniu których jesteśmy w stanie wykreślić charakterystyki tranzystora w III-ciej i IV-tej ćwiartce układu współrzędnych dla pełnych charakterystyk tranzystora pokazanych przykładowo we Wprowadzeniu na rysunku W3.6 (tzn. charakterystyki wejściowe i charakterystyki oddziaływania zwrotnego). Dla każdego z punktów pracy tranzystora brakuje danych na temat wartości prądu Ic. Nie jest więc możliwe wyznaczenie wartości parametrów h2u ani ^22e- Aby uzyskać pełne dane należałoby układ pomiarowy uzupełnić o miliamperomierz mierzący prąd Ic (włączonego jak na rysunku 3.1.1 w poprzednim zadaniu) i    dla każdej pary nastaw wartości zmiennych    niezależnych

(wymuszających), tzn. IB i Uce odczytywać oprócz wartości napięcia U be także wartość prądu Ic.


Zgodnie z definicją W3.10 (patrz Wprowadzenie) wartość parametru hue w punkcie pracy P obliczamy jako iloraz odpowiadających sobie przyrostów napięcia U be i prądu bazy IB przy zachowaniu niezmiennej wartości napięcia UCE w punkcie pracy (czyli równego 8 V):

-33-


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Elektronika W Zad cz 2 4 W C.ążyńsk. ■ ELEKTKONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza malosygnalown ukła
Elektronika W Zad cz 2 5 W Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3: Analiza małosygnałowa ukł
Elektronika W Zad cz 2 7 W Ciązyń&ki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnałowa
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciązynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3; Analiza malosyynałowa ukł
Elektronika W Zad cz 2 2 w Ciążynski ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnałowa układó
Elektronika W Zad cz 2 6 w Ciąiyrtski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnałowa ukł
Elektronika W Zad cz 2 5 W Ciązynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 5 w Cmn-nsk, - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część i Analiza malosygnalowa układ
Elektronika W Zad cz 2 9 w Ciątyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 7 W Cniyójki - elektronika w zadaniach Część 3: Analiza malosygnałowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 3 W Cijtiyfuki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza malosygnalown ukł
Elektronika W Zad cz 2 5 W C.vyński ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3. Analiza malosygnalowa układó
Elektronika W Zad cz 2 1 w c»ą*yn*ki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza malosygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 3 W Ciąiymki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiz* malosygnałowa układ
Elektronika W Zad cz 2 6 w Ciązynski FJ-EKTRONIKA W ZADANIACH Część 3- Analiza malosygnałuwa ukła
Elektronika W Zad cz 2 4 W Ciązynski ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Annli/a małosygruiłowa układ
Elektronika W Zad cz 2 1 w Ciązyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analizo mnlosygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciąłyśaki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza maloiygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 1 w CivyA»lti - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza maloaygnalowa ukła

więcej podobnych podstron