W. Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3- Analiza malosygnalowa układów półprzewodnikowych
Jest to wartość średnia dla zmian położenia punktu pracy symetrycznych względem P (od P1 do P2). Z danych liczbowych wynika, że dla zmiany położenia punktu pracy od PI do P oraz od P do P2 uzyskujemy takie same przyrosty Ic, co świadczy o tym że charakterystyka wyjściowa tranzystora /c= f(UCE) dla stałego prądu bazy !b= 150 pA może być uważana w rozpatrywanym zakresie za liniową. Ilustracja graficzna uzyskanego wyniku na wykonanym z zachowaniem skali rysunku 3.1.2 jest możliwa tylko na charakterystykach wyjściowych tranzystora - wartość liczbowa parametru ti22e odpowiada nachyleniu fragmentu charakterystyki wyjściowej (pokazanego ciągłą linią pogrubioną) w okolicy punktu pracy P. Na charakterystykach przejściowych tranzystora odpowiedni odcinek ma zbyt małą długość, aby jego pokazanie w przyjętej skali było możliwe.
Rys. 3.1.2 Ilustracja graficzna obliczenia wartości liczbowych parametrów h22 i h22 na charakterystykach statycznych tranzystora
Zgodnie z podaną we Wprowadzeniu definicją W3.12 wartość liczbową parametru fi2ie (czyli zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora) obliczamy jako:
uCFin=xv
— = 118
(3.1.2)
21,96-10,11 mA _ 11,85 niA 200-100 fxA ~ 100 piA
Na rysunku 3.1.2 wynik ten można zilustrować graficznie zarówno na charakterystykach przejściowych tranzystora jako nachylenie fragmentu charakterystyki dla parametru Uce- 8V w okolicy punktu pracy P (tj. fragmentu pokazanego pogrubioną linią przerywaną), jak i na charakterystykach wyjściowych przez odczytanie przyrostu prądu Ic dla stałej wartości Uce = 8 V, tj. pionowo pomiędzy dwiema charakterystykami wyjściowymi odpowiadającymi dwu wartościom prądu bazy. Obliczona wartość liczbowa /i2/f to wartość średnia dla zmian położenia punktu pracy symetrycznych względem położenia P (od P3 do P4). Z danych liczbowych wynika, że dla zmiany położenia punktu pracy od P do P3 uzyskujemy nieco większą od tej średniej wartość parametru /i2/e = 120, a dla zmiany od P do P4 nieco mniejszą /i2^=H7. Świadczy to o pewnej nieliniowości charakterystyki przejściowej tranzystora /c = f(/a), z powodu której wyniki obliczeń np. wzmocnienia prądowego lub napięciowego (wzmacniacza zbudowanego przy wykorzystaniu badanego tranzystora pracującego w rozpatrywanym punkcie pracy) mogą okazać się niedokładne dla dużych sygnałów (dużych zmian położenia punktu pracy tranzystora).
W Ciązyitaki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Częsc 3' Analiza malosygnalowa układów półprzewodnikowych
powered by
Mi siol
Zadanie 3.2
Rys. 3.2.1 Układ pomiarowy do zdejmowania charakterystyk wejściowych i oddziaływania zwrotnego tranzystora npn w konfiguracji WE
W układzie pomiarowym jak na rysunku 3.2.1 do zdejmowania charakterystyk statycznych tranzystora krzemowego npn prąd bazy był nastawiany za pomocą dokładnego regulowanego źródła prądowego, a napięcie zasilające obwód kolektora było nastawiane za pomocą regulowanego źródła napięciowego. Napięcie UBE i prąd bazy IB mierzono w układzie poprawnie mierzonego napięcia, przy czym jednak prąd Iv pobierany przez woltomierz był znikomy (rezystancja wewnętrzna woltomierza Rv wynosiła 10 Mft, co przy 0,6 V daje prąd Iv= 60 nA). Mierzony prąd może być więc uważany za prąd bazy.
Na podstawie podanego fragmentu tabeli wyników pomiarowych należy wyznaczyć wartości parametrów he (tych, których wyznaczenie jest możliwe) dla punktu pracy P określonego przez prąd IB = 150 pA i napięcie Uce = 8 V. Należy także zaproponować uzupełnienie układu pomiarowego pozwalające na wyznaczenie wszystkich 4-ch parametrów he.
Uce [V] |
IB=...liA | IB = 140 pA | IB = 150 pA | /B = 160 pA |/g=...pA | ||||
_Uje [mV]__ | |||||
.... | |||||
2 |
588 |
603 |
617 | ||
4 |
587 |
602 |
616 | ||
6 |
586 |
615 | |||
8 |
585 |
(P) 600 |
614 | ||
10 |
584 |
599 |
613 | ||
12 |
. . . |
583 |
598 |
612 | |
Rozwiązanie
Dysponujemy tylko danymi, przy wykorzystaniu których jesteśmy w stanie wykreślić charakterystyki tranzystora w III-ciej i IV-tej ćwiartce układu współrzędnych dla pełnych charakterystyk tranzystora pokazanych przykładowo we Wprowadzeniu na rysunku W3.6 (tzn. charakterystyki wejściowe i charakterystyki oddziaływania zwrotnego). Dla każdego z punktów pracy tranzystora brakuje danych na temat wartości prądu Ic. Nie jest więc możliwe wyznaczenie wartości parametrów h2u ani ^22e- Aby uzyskać pełne dane należałoby układ pomiarowy uzupełnić o miliamperomierz mierzący prąd Ic (włączonego jak na rysunku 3.1.1 w poprzednim zadaniu) i dla każdej pary nastaw wartości zmiennych niezależnych
(wymuszających), tzn. IB i Uce odczytywać oprócz wartości napięcia U be także wartość prądu Ic.
Zgodnie z definicją W3.10 (patrz Wprowadzenie) wartość parametru hue w punkcie pracy P obliczamy jako iloraz odpowiadających sobie przyrostów napięcia U be i prądu bazy IB przy zachowaniu niezmiennej wartości napięcia UCE w punkcie pracy (czyli równego 8 V):
-33-