W Cniyójki - elektronika w zadaniach Część 3: Analiza malosygnałowa układów półprzewodnikowych
gdzie:
© 0 (E)
0 |
-(721 + 722) |
-Yj |
>,+!■£+ y// + y/2+ 722 +y22 |
.17.9 Podwyznacznik do obliczenia dopełnienia algebraicznego Au
® (C)
® CE)
Rys. 3
• Ais to dopełnienie algebraiczne elementu Yn macierzy, czyli podwyznacznik powstały przez skreślenie pierwszego wiersza i drugiej kolumny macierzy (patrz rysunek 3.17.9), opatrzony znakiem minus wynikającym z wyrażenia (-1)1+2, czyli:
Aj2 = (y2I + yn)Y,= (100 + 0) 1,67 (mSf = 167 (mS)2 {3.17.23)
® (C)_® (E)
Yc + Y22 |
- ( 721 + 722) |
-( yi2 + Y22) |
Yi+YE+ yn + yi2+ y 21 + y2 2 |
®(C)
® (E)
Rys. 3.17.10 Podwyznacznik do obliczenia dopełnienia algebraicznego Au
• Au to dopełnienie algebraiczne elementu Yn macierzy, czyli podwyznacznik powstały przez skreślenie pierwszego wiersza i pierwszej kolumny (patrz rysunek 3.16.9), opatrzony znakiem plus wynikającym z wyrażenia (-l)1+l, czyli:
A„ =(YC + J-hM Yi + Ye + Yu + yn + >2i +>n)-(.V12 + >22)-(>21 +>22) =
= [(1 + 0) ■ (1,67 +1 +1 + 0 +100 + 0) - (0 + 0) • (100+0)] (mS)2 = 103,67 (mS)2
Podstawiając wartości wyrażeń
k.=
167 {mS)2 103,67{mS)2
= 1,61
{3.17.24)
(3.17.23) i (3.17.24) do (3.17.22) mamy więc:
{3.17.25)
Także tutaj możemy potraktować rezystor Rę jako obciążenie naszego wzmacniacza i do obliczenia wzmocnienia wykorzystać ogólniejszy wzór Nr 1 z tabeli W3.7, ale wtedy należy usunąć admitancję Yę z macierzy układu. Jak można sprawdzić wyniki uzyskiwane przy obydwu podejściach są identyczne.
W tym miejscu można podkreślić łatwość z jaką w tej metodzie dochodzimy do bardzo nawet skomplikowanych zależności operując ogólnymi symbolami parametrów. Jeśli jednak interesują nas tylko wartości liczbowe wzmocnień i rezystancji charakterystycznych badanego układu możemy znacznie uprościć obliczenia podstawiając w macierzy z rysunku 3.17.8 wartości liczbowe parametrów. Należy wtedy zwrócić uwagę na to, aby wszystkie wartości były wyrażone w takich samych jednostkach. Na rysunku 3.17.11 pokazano postać liczbową macierzy badanego układu, której elementy są wyrażone w mS. Obliczenia wyznaczników dla tej postaci macierzy są znacznie łatwiejsze, zmniejsza się też prawdopodobieństwo popełnienia błędu.
© |
® (C) |
®(E) | |
© |
1,67 |
0 |
- 1,67 |
® (O |
0 |
1 |
- 100 |
® (E) |
- 1,67 |
0 |
103,67 |
Rys. 3.17.U Postać liczbowa macierzy admitancyjnej z rysunku 3.17.8
W Ciązyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnalowa układów półprzewodnikowych
powered by
Mi siol
Ad 2. Podłączenie obciążenia RL = 1 k H nie zmienia liczby węzłów układu Ki jesi podłączany równolegle do Rc. a zatem wszystkie powyższe zależności pozostają ważne dla wzmacniacza obciążonego, pod warunkiem że w miejsce admitancji kolektorowej Yc = I mS podstawimy w nich wartość sumy admitancji (Yc + Yl), czyli w warunkach zadania wartość dwukrotnie większą, równą 2 mS. Na podstawie wyrażeń 3.17.23 i 3.17.24 możemy stwierdzić, że Au nie zmieni się. a A,2 dwukrotnie wzrośnie. Dla wzmacniacza obciążonego uzyskamy więc z wyrażenia 3.17.22 wzmocnienie dla sygnału ew dwukrotnie mniejsze (kr =0,80). czyli amplituda napięcia wyjściowego zmniejszy się do 80 mV.
Ad 3. Konieczność uwzględnienia niezerowych wartości parametrów hn, i/lub h22r nie stwarza przy tej metodzie postępowania zasadniczych trudności. Po przeliczeniu nowych wartości parametrów h, na parametry y okaże się tylko, że yl2 ź 0 i/lub ytJ i 0. Macierz układu pokazana na rysunku 3.17.8 nie ulega zmianie, zmienią się tylko wartości liczbowe jej elementów, czyli zmiany znajdą odbicie tylko w liczbowej postaci macierzy pokazanej na rysunku 3.17.11. Oczywiście obliczenia wyznaczników dla macierzy mającej mniej wyrazów zerowych są nieco trudniejsze.
Rozwiązanie 4
Metodę macierzy admitancyjnej możemy też zastosować dla schematu zastępczego o dwu węzłach, pokazanego na rysunku 3.17.12. a więc nie uwzględniającego rezystancji wewnętrznej /?, generatora. Pełna macierz admitancyjna układu jest pokazana dla wartości ogólnych parametrów na rysunku 3.17.13. a jej postać operująca wartościami liczbowymi w mS na rysunku 3.17.14.
© (C) |
© (E) | |
® (C) |
Yc + y22 |
- ( \2I + yn) |
® (E) |
■ (yn +yn) |
Yf+\u+ v/2+ y 2i + y22 |
Rys. 3.17.13 Macierz admitancyjna układu wzmacniacza z rysunku 3.17.12 | ||
© (C) |
© (E) | |
© (C) |
1 |
- 100 |
© (E) |
0 |
102 |
Rys. 3.17.14 Postać liczbowa macierzy admitancyjnej z rysunku 3.17.13
Ad 1. Dla macierzy z rysunku 3.17.13 można (na podstawie wzoru Nr 2 z tabeli W3.7) wyznaczyć wzmocnienie napięciowe dla sygnału une podawanego na bazę tranzystora (czyli węzeł wejściowy, a = 2), jako:
*. =^ł- = -Zi>'n +>'m> = (100 + 0)mS -ioo (3.17.26)
An ^c + ya (1.0 + 0) mS
Zwróćmy uwagę na to. że wzmocnienie to nie zależy od wartości yn ani od y/j.Te elementy macierzy admitancyjnej leżą w drugim jej wierszu, który jest skreślany zarówno przy obliczaniu licznika jak i przy obliczaniu mianownika wyrażenia określającego wzmocnienie. Pod względem fizykalnym tłumaczymy to w ten sposób, ?e napięcie wejściowe jest wymuszone przez źródło sterujące niezależnie od wartości
-93-