Elektronika W Zad cz 2 8

Elektronika W Zad cz 2 8



W. Ciątyfaki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Częic 3 Analiza malosyjnalowl uldadów półprzewodnikowych

zdjętej dla stałego napięcia UDS = 8 V w okolicy punktu pracy P. czyli dla przyrostów prądu drenu wokół wartości ID = 2,09 mA wy wołanych zmianami napięcia UCs wokół wartości 5,0 V. Dla małych przyrostów Ucs wartość yn = gm odpowiadałaby nachyleniu stycznej do charakterystyki w punkcie P. Jak wiadomo charakterystyka przejściowa tranzystora potowego ID = i {Ucs) ma przebieg zbliżony do paraboli, a więc jej nachylenie powinno ze wzrostem prądu liniowo się zwiększać. Fragmentaryczne dane liczbowe podane w tabeli to potwierdzają. Przy zwiększeniu napięcia Ugs o 0,5 V uzyskujemy (w punkcie pracy P3) przyrost prądu nieco większy niż jego spadek (dla punktu pracy P4) odpowiadający zmniejszeniu napięcia Ucs o 0,5 V. Wynik obliczenia jak powyżej (zależność 3.3.1) przy założeniu stosunkowo dużego przyrostu AU es = 0,5 V odpowiada więc raczej nachyleniu siecznej, czyli wartości średniej y21 = gm w założonym zakresie zmian Ucs od 4,5 do 5,5 V.

3 -

'     u0MB= 3 v *    8    *    ' uas[V] o 1    <    6    1 w ,łUM(v!

Rys. 3.3.2 Ilustracja graficzna sposobu wyznaczania wartości liczbowych parametrów


yn = gm orazyM tranzystora EMOS

Zgodnie z definicją W3.38 (patrz Wprowadzenie) wartość liczbową parametru yn - gJi (czyli admitancji wyjściowej) obliczamy jako iloraz odpowiadających sobie przyrostów prądu drenu i napięcia U os (wyznaczonych przy niezmiennym napięciu Ucs, równym wartości w punkcie pracy):


2,12-2,06 mA nnó mA 10-6 V 4 V



(3.3.2)


Ilustrację graficzną uzyskanego wyniku pokazano także na rysunku 3.3.2. Wartość liczbowa parametru >22 = gjs odpowiada nachyleniu fragmentu charakterystyki wyjściowej zdjętej dla stałego napięcia Ucs = 5 V w okolicy punktu pracy P, czyli dla przyrostów prądu drenu względem wartości /D = 2,09mA wywołanych zmianami napięcia Uos wokół wartości 8.0 V. Dla małych przyrostów UDs wartość t’22 = gj, odpowiadałaby nachyleniu stycznej do charakterystyki w punkcie P. Charakterystyka wyjściowa tranzystora polowego lo = f(Uos) ma w obszarze pentodowym przebieg zbliżony do prostej, a więc jej nachylenie powinno być stałe. Potwierdzają to fragmentaryczne dane liczbowe, zgodnie z którymi przyrosty prądu lo są względem punktu P dla punktów PI i P2 jednakowe.

W Ciązynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnałown układów półprzewodnikowych

powered by

Mi si ol


Zadanie 3.4


Dla tranzystora krzemowego npn w połączeniu WE w pewnym punkcie pracy wyznaczono parametry malosygnatowe typu h o wartościach:

hiir = 1-45 kśi;    = - 0,5- 10'5;    h21f = 120;    /i22, = 0,16mS

Należy wyprowadzić wzory przeliczeniowe i wyznaczyć wartości parametrów hi, dla tego tranzystora pracującego w tym samym punkcie pracy (dla prądu stałego), ale w konfiguracji WB dla składowych zmiennych.


Rozwiązanie

Równania definiujące parametry h (patrz równania W3.1 i W3.2 we Wprowadzeniu) dla tranzystora w konfiguracji WE przy oznaczeniach jak na rysunku 3.4.1 przyjmują postać:

ubc = h\ 1,4    (3.4.1)

ic=hil'ib + h22tucl    (3.4.2)

Dla tranzystora w konfiguracji WB przy oznaczeniach jak na rysunku 3.4.2 przyjmują postać:

uih ~~ubt = h\u,(~ir)+ hmiicb    (3.4.3)

ic=hMHr)+h12bud,    (3.4.4)

Składowe zmienne prądów    i napięć występujące w

obydwu układach równań    są zc sobą    powiązane

następującymi zależnościami:


Rys. 3.4.1


Rys. 3.4.2


(3.4.5)

(3.4.6)


Przyjmujemy taki kierunek postępowania, aby w równaniach (3.4.1) i (3.4.2) zastąpić prąd ib i napięcie które w docelowych równaniach (3.4.3) i (3.4.4) nie występują -wartościami wynikającymi z zależności (3.4.5) i (3.4.6) i po przekształceniach porównać współczynniki stojące przy ie i u,h wyrażone przez parametry hr z ich odpowiednikami w równaniach (3.4.3) i (3.4.4).

Podstawiając zależności (3.4.5) i (3.4.6) kolejno do (3.4.1) i (3.4.2) uzyskujemy:


Ubr = hi „ (it - 4)+ ń,2, («„, + ucb)

4 = V (4 - 4)+K. («,*• + «<*)

Przekształcamy ostatnie równanie wyznaczając z niego \c\ 4 o + A21,) = V4 + hUe (ubr + ulb)

i =    • • Ar


(3.4.7)

(3.4.8)


l + Aj,, *    1 + /*2!r

i uzyskaną zależność (3.4.9) podstawiamy do (3.4.7) otrzymując kolejno: ubr = AiJ4 ~7TT 4    (“(,,+ “<*)]+h,u(ube +ucb)

1 + V 1+V


(3.4.9)


A, u • hz

>+*«


h\\, h21 1 + A„,


-] 4 + (hl2e


A| u' hr, 13" A,,.


-) U Cl


-37-


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Elektronika W Zad cz 2 9 W Ciążyńskł - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Częić 3: Analiza malosygnalowa ukł
Elektronika W Zad cz 2 9 w Ciążynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Częić 3 Analiza malosygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 4 W C.ążyńsk. ■ ELEKTKONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza malosygnalown ukła
Elektronika W Zad cz 2 4 w Ciązynskt - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Częić 3 Analiza małosygnnłowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 5 w Cmn-nsk, - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część i Analiza malosygnalowa układ
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciązynskt ELEKTRONIKA W ZADANIACH Ceęic 3 Analiza malosygnnlowa układó
Elektronika W Zad cz 2 5 W C.vyński ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3. Analiza malosygnalowa układó
Elektronika W Zad cz 2 5 W Ciązynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 1 W Ciąjryński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Czptć 3 Analiza małosyynałowa ukł
Elektronika W Zad cz 2 3 W Ciąiymki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiz* malosygnałowa układ
Elektronika W Zad cz 2 8 w Ciątyfeki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 8 W Cią2ynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Ctęió 3 Analiza małosygnał owa ukł
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciąłyśaki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza maloiygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 1 w CivyA»lti - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza maloaygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 3 w Clążyaiki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Cięli 3 Analiza malojygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 6 W. Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3- Analiza malosygnalowa uk
Elektronika W Zad cz 2 7 w CiązyMki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Ct*U 3 Analiza maloiygnalowa układó
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Cżętż 1 Analiżu malosygnąłuwa ukła
Elektronika W Zad cz 2 5 W Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3: Analiza małosygnałowa ukł

więcej podobnych podstron