Zadania kontrolne nr 1 z przedmiotu :
Układy elektroniczne I – Projekt
1. Dla podanego poniżej układu należy obliczyć : I
1
/E
g
, I
2
/I
1
, U
2
/E
g
2. Przekształcić niżej podane układy stosując twierdzenia Thevenina i Nortona
E
g
1 k
20 k
1 k
450
k
100 k
5 k
U
2
I
2
I
1
100 I
1
+
E
g
R
1
R
2
R
3
+
A
B
R
1
I
g
R
2
A
B
R
3
3. Obliczyć transmitancję K(s) = U(s)/E(s) dla poniższego układu
E
g
R
1
R
2
R
3
+
C
U
4.Wyznaczyć graficznie punkt pracy tranzystora ,wykorzystując typowe charakterystyki
wejściowe i wyjściowe tranzystora bipolarnego, układu zasilania tranzystora z dwu
baterii.
5.Narysować rodzinę charakterystyk wyjściowych i charakterystykę przejściową
tranzystora IGFET typu wzbogacanego z kanałem typu n.
Wrocław, 01 października 2004 r.
Zadania kontrolne nr 1 z przedmiotu :
Układy elektroniczne I – Projekt
Rozwiązania
1. Dla podanego poniżej układu należy obliczyć : I
1
/E
g
, I
2
/I
1
, U
2
/E
g
Obliczenia przybliżone:
R
4
,R
5
>>R
6
. Mamy zatem:
I
2
≅ - 100 I
1
I
2
/I
1
≅ - 100
R
2
>>R
3
. Mamy zatem
I
1
≅ E
g
/(R
1
+R
3
)
I
1
/E
g
≅ 1/(R
1
+R
3
) = 0,5 10
-3
I
2
/E
g
= I
2
/I
1
x I
1
/E
g
≅ -100 x 0,5 10
-3
= - 50 10
-3
U
2
/E
g
= R
6
x I
2
/E
g
≅ 5 10
3
x (-50 10
-3
) = - 250
Obliczenia dokładne
a) Wzory ogólne
I
2
=U
2
/R
6
;
U
2
= - 100I
1/
(G
4
+G
5
+G
6
);
I
2
=-100I
1
/[R
6
(G
4
+G
5
+G
6
)];
I
2
/I
1
= -100/(1+R
6
/R
4
+R
6
/R
5
)= -100/(1+1/90+1/20) = -94,24
3
1
3
1
3
3
1
)
1
(
R
G
R
E
R
R
R
R
E
R
U
I
w
g
w
w
g
R
+
=
+
=
=
G
w
=G
2
+G
3
;
I
1
/E
g
=1/[R
3
+R
1
(1+G
2
R
3
)]=1/[10
3
+10
3
(1+10
3
x5 10
-5
)]=0,4878 x 10
-3
E
g
R
1
= 1 k
R
2
= 20 k
R
3
= 1 k
R
4
= 450 k
R
5
= 100 k
R
6
= 5 k
U
2
100 I
1
+
I
2
I
1
I
2
/E
g
=I
2
/I
1
x I
1
/E
g
=-94,24 x 0,4878x10
-3
= - 45,97 x10
-3
U
2
/E
g
=R
6
I
2
/E
g
= 5x10
3
x (-45,97 x 10
-3
)= -229,85
Stosując twierdzenie Thevenina otrzymujemy układ
I
1
= E
g zas
/(R
3
+ R
g zas
) = E
g
R
2
/(R
1
+R
2
) (R
3
+ R
g zas
)
I
1
/E
g
= R
2
/[R
3
(R
1
+R
2
) + R
1
R
2
] = 1/[R
1
+ R
3
(1+R
1
G
2
)] = 1/[1 + 1(1,05)] x 10
3
= 0,487 x 10
-3
E
g zas
=
E
g
R
2
/(R
1
+R
2
)
R
3
= 1 k
R
4
= 450 k
R
5
= 100 k
R
6
= 5 k
U
2
100 I
1
+
I
2
I
1
R
g zas
= R
1
R
2
/(R
1
+R
2
)
2. Przekształcić niżej podane układy stosując twierdzenia Thevenina i Nortona
Twierdzenie Thevenina
Twierdzenie Nortona
R
w
=1(G
1
+G
2
+G
3
)
G
w
= 1/(R
1
+R
2
+R
3
)
E
w
= R
z
/(R
1
+R
z
)E
g
I
w
= I
g
/G
3
+G
z
) R
3
R
z
=1/(G
2
+G
3
)
G
z
=1/(R
1
+R
2
)
Mamy zatem
Mamy zatem
E
w
= 1/(G
2
+G
3
)(R
1
+1/G
2
+G
3
) x E
g
=
I
w
=1/(1+G
z
R
3
) x I
g
=
= 1/[1+ R
1
(G
2
+G
3
)] x E
g
= 1/[1+R
3
/(R
1
+R
2
)] x I
g
E
g
R
1
R
2
R
3
+
A
B
R
1
I
g
R
2
A
B
R
3
Rozwiązanie za pomocą twierdzenia Thevenina
R
z
= 1/G
z
= 1/(G
1
+G
2
)
E
z
= R
2
/(R
1
+R
2
) E
g
U=E
z
R
3
/ (R
z
+R
3
+1/sC)
U/E
z
= R
3
sC/[1 + (R
3
+Rz)sC]
3. Obliczyć transmitancję K(s) = U(s)/E(s) dla poniższego układu
E
R
1
R
2
R
3
+
C
U
E
z
R
z
R
3
+
C
U
)]
1
(
[
1
)
1
(
)
1
(
1
1
)
)
1
(
1
)(
1
(
)
(
1
1
)
(
1
1
1
1
1
1
1
1
)
1
(
)
(
1
2
3
1
2
1
1
2
3
1
3
1
2
3
1
2
1
1
1
2
1
3
1
2
1
3
2
1
3
2
1
1
2
1
3
3
2
1
3
1
2
1
3
2
1
3
3
1
3
3
3
3
1
1
2
1
2
3
R
G
R
R
C
G
R
s
s
R
G
R
R
R
R
G
R
R
G
R
sC
sC
R
R
G
G
R
R
G
G
R
G
G
R
G
G
sC
sC
R
G
G
R
R
G
G
R
sC
sC
R
G
G
R
G
G
R
R
R
sC
sC
R
R
R
R
R
R
R
sC
R
R
sC
R
R
R
R
R
R
Eg
U
z
z
z
z
z
+
+
+
+
+
+
=
=
+
+
+
+
+
+
+
=
=
+
+
+
+
+
+
=
=
+
+
+
+
+
+
=
=
+
+
+
=
+
+
+
+
=
Zadania kontrolne nr 2 z przedmiotu :
Układy elektroniczne I – Projekt
1. W układzie pokazanym na rys.1 tranzystor pracuje w spoczynkowym punkcie pracy z
prądem kolektora I
CQ
= 1,13 mA, w temperaturze T
0
= 25
0
C. Parametry liniowego modelu
tranzystora w temperaturze T
0
wynoszą : U
BE
(T
0
) = 0,675 V, β(T
0
) = 300, a prąd zerowy złącza
baza-kolektor I
BC0
(150
0
C) ≤ 15
μA.
Obliczyć zmiany prądu kolektora odpowiadające zmianom temperatury :
a) od T
0
= 25
0
C do T
j
= 15
0
C,
b) od T
0
= 25
0
C do T
j
= 50
0
C
stosując liniowe przybliżenie zależności prądu kolektora od temperatury.
+
-
E
CC
R
C
R
2
U
CE
U
BE
I
B
R
E
R
1
I
C
Rys.1. Schemat ideowy układu zasilania tranzystora
(R
1
= 510 kΩ, R
2
= 82 kΩ, R
C
= 6,8 kΩ, R
E
= 1 kΩ, E
CC
= 15 V).
2. Określić wpływ rozrzutu współczynnika wzmocnienia prądowego β na zmiany punktu
pracy tranzystora układu z rys.1. Należy założyć zmiany β w granicach β
min
= 100, β
max
= 900.
Napięcie baza-emiter tranzystora w temperaturze 25
0
C wynosi U
BE
= 0,675 V. Wpływ prądu
zerowego złącza baza-kolektor pominąć.
3. Obliczyć łączny wpływ zmian temperatury od T
min
= 15
0
C do T
max
=50
0
C i rozrzutu β od
β
min
=100 do β
max
= 900 na punkt pracy tranzystora w układzie z rys. 1 (wartości β podano dla
temperatury T
o
= 25
0
C). Napięcie U
BE
w tej temperaturze wynosi U
BE
(T
o
) = 0,675 V. Wpływ
prądu zerowego złącza baza-kolektor pominąć.
4. Obliczyć elementy układu zasilania tranzystora MOSFET z kanałem n ze wzbogacaniem
(rys.2). Należy przyjąć, ze :
- spadek napięcia na rezystorze R
S
wynosi od 10 % do 30% napięcia zasilania E
DD,
- natężenie prądu w dzielniku polaryzującym bramkę tranzystora (rezystory R1 i R2) jest
bardzo małe (rzędu kilku mikroamperów).
Tranzystor ma pracować w następującym punkcie pracy : I
D
= 1 mA, U
DS
= 6 V, U
GS
= 2V.
Wartość rezystora R
D
jest zadana ze względu na wymagane wzmocnienie napięciowe i
wynosi 6,8 kΩ.
R
S
R
D
R
2
E
DD
R
1
Rys. 2 Schemat ideowy układu zasilania tranzystora MOSFET z kanałem ze wzbogacaniem
5. Obliczyć elementy układu zasilania tranzystora unipolarnego złączowego (JFET) z
kanałem n (rys.3).
Tranzystor ma pracować w następującym punkcie pracy : I
D
= 1 mA, U
DS
= 6 V, U
GS
= -2V.
Wartość rezystora R
D
jest zadana ze względu na wymagane wzmocnienie napięciowe i
wynosi 10 kΩ.
R
S
R
D
R
G
E
DD
R
S
R
D
R
G
E
DD
Rys. 3 Schemat ideowy układu zasilania tranzystora złączowego (JFET) z kanałem n.
Zadania kontrolne nr 2 z przedmiotu :
Układy elektroniczne I – Projekt
1. Wyznaczyć punkt pracy tranzystora pracującego w układzie pokazanym na rys.1 dla trzech
temperatur otoczenia : 15
0
C, 25
0
C i 50
0
C. W obliczeniach zastosować linearyzowany
modelem Ebersa-Molla, którego parametry w temperaturze T
0
= 25
0
C są dane : U
BE
(T
0
) =
0,675 V, β(T
0
) = 300. Prąd zerowy złącza baza-kolektor wynosi I
BC0
(150
0
C) ≤ 15
μA.
Przyjąć c= 2mV/1
0
C, γ = 5 x 10
-3
1/1
0
C, b = 14
0
C
+
-
E
CC
R
C
R
2
U
CE
U
BE
I
B
R
E
R
1
I
C
Rys.1. Schemat ideowy układu zasilania tranzystora
(R
1
= 510 kΩ, R
2
= 82 kΩ, R
C
= 6,8 kΩ, R
E
= 1 kΩ, E
CC
= 15 V).
2. Określić wpływ rozrzutu współczynnika wzmocnienia prądowego β na zmiany punktu
pracy tranzystora układu z rys.1. Należy założyć zmiany β w granicach β
min
= 100, β
max
= 900.
Napięcie baza-emiter tranzystora w temperaturze 25
0
C wynosi U
BE
= 0,675 V. Wpływ prądu
zerowego złącza baza-kolektor pominąć.
3. Obliczyć łączny wpływ zmian temperatury od T
min
= 15
0
C do T
max
=50
0
C i rozrzutu β od
β
min
=100 do β
max
= 900 na punkt pracy tranzystora w układzie z rys. 1 (wartości β podano dla
temperatury T
o
= 25
0
C). Napięcie U
BE
w tej temperaturze wynosi U
BE
(T
o
) = 0,675 V. Wpływ
prądu zerowego złącza baza-kolektor pominąć.
4. Obliczyć elementy układu zasilania tranzystora MOSFET typu wzbogacanego, kanał typu n
(rys.2). Należy przyjąć, ze:
- spadek napięcia na rezystorze R
S
wynosi od 10 % do 30% napięcia zasilania E
DD,
- natężenie prądu w dzielniku polaryzującym bramkę tranzystora (rezystory R1 i R2) jest
bardzo małe (rzędu kilku mikroamperów).
Tranzystor ma pracować w następującym punkcie pracy: I
D
= 1 mA, U
DS
= 6 V, U
GS
= 2V.
Wartość rezystora R
D
jest zadana ze względu na wymagane wzmocnienie napięciowe i wynosi
6,8 kΩ.
R
S
R
D
R
2
E
DD
R
1
Rys. 2 Schemat ideowy układu zasilania tranzystora MOSFET typu wzbogacanego,
kanał typu n.
5. Obliczyć elementy układu zasilania tranzystora unipolarnego złączowego (JFET) z
kanałem typu n (rys.3).
Tranzystor ma pracować w następującym punkcie pracy: I
D
= 1 mA, U
DS
= 6 V, U
GS
= -2V.
Wartość rezystora R
D
jest zadana ze względu na wymagane wzmocnienie napięciowe i
wynosi 10 kΩ.
R
S
R
D
R
G
E
DD
R
S
R
D
R
G
E
DD
Rys. 3 Schemat ideowy układu zasilania tranzystora złączowego (JFET) z kanałem typu n.
Wrocław, 18.10.2004 r.