Cz໩ 7 Tranzystor Jednoz czowy Doc


7. TRANZYSTOR JEDNOZŁĄCZOWY

7.1. Budowa i charakterystyki u=u(i)

Tranzystor jednozłączowy - a właściwie: dioda złączowa z podwójną bazą - jest najprostszym, sterowalnym przyrządem półprzewodnikowym. To jedno złącze jest reprezentowane przez diodę na schemacie zastępczym tranzystora - rys.7.1. Rezystancja między elektrodami obu baz jest równa sumie rezystancji pomiędzy emiterem a każdą z baz

rBB=rB1+rB2 (7.1)

Gdy IE=0, to ta rezystancja, określana między- bazową, wynosi od 5 do 9 kW. Podczas pracy tranzystora złącze emiterowe polaryzowane jest w kierunku przewodzenia, natomiast obie bazy tworzą dzielnik napięciowy z nieoznaczonym węzłem wewnętrznym - rys.7.2. Wartość rB1 zależy od prądu emitera; ilości wstrzykiwanych dziur do obszaru wewnętrznego, maleje ze wzrostem tego prądu. Jednakże prąd ten pojawi się dopiero po przekroczeniu potencjału dyfu-zyjnego złącza ψo przez zewnętrzne napięcie na elektrodzie emitera UEB1. Spadek napięcia na rezystancji rB1 wynosi

(7.2)

W ten sposób definujemy wewnętrzny współczynnik blokowania tranzystora

(7.3)

określany dla granicznego prądu IB=0. Zatem wewnętrzne napięcie na B1 wynosi

(7.4)

Jak długo napięcie na emiterze uEB1 jest mniejsze niż suma napięć prąd emitera praktycznie nie płynie. Przy napięciu szczytowym na emiterze

(7.5)

złącze p-n zostaje spolaryzowane przepustowo i następuje szybki przyrost prądu emiterowego - rys.7.3. Na emiterowej charakterystyce prądowo-napięciowej tranzystora jednozłączowego w kształcie litery S widzimy trzy zakresy prądowe: odcięcia, ujemnej rezystancji i nasycenia napięciowego. Zakresy te rozgranicza prąd szczytowy IP i prąd doliny IV. Prąd IR jest prądem odcięcia złącza. Te niezwykłe tranzystory znajdują zastosowanie w konstrukcji oscylatorów relaksa- cyjnych o małych częstotliwościach drgań, bo już od 1 Hz do kilkuset Hz.

7.2. Przebieg ćwiczenia

Wyznaczenie charakterystyki emiterowej iE=iE(uE)

Charakterystykę iE=iE(uE) wyznaczamy z punktów pomiarowych zebranych w układzie sporządzonym według rys.7.4. Napięcie mierzymy w obwodzie E-B1 regulując napięciem zasilacza UEE. Pomiary dokonujemy dla kilku wartości UBB regulując potencjometrem P1.

Podczas zdejmowania pomiarów zauważyć i zarejestrować w miarę dokładnie na charakterystyce punkty szczytu i doliny. Wartość UV rejestrujemy tuż po gwałtownym spadku prądu emitera w nieuchwytnym zakresie rezystancji ujemnej.

Aby przeprowadzić pomiary w zakresie rezystancji ujemnej należy zbudować układ na bazie modułu TM2RT według rys.7.5.

Dla kilku wartości prądu, który obliczamy z zależności

(7.6)

odczytujemy na woltomierzu V1 napięcie uEB1. Na podstawie pomiarów można wyliczyć rezystancję dynamiczną

(7.7)

7.2.2. Generator relaksacyjny z wykorzystaniem tranzystora jednozłączowego

Prosty generator relaksacyjny montujemy na module pomiarowym TM1 według rys.7.6. Generator działa w ten sposób, że kondensator C1 ładowany jest przez R1, aż do osiągnięcia napięcia UB0, przy którym włącza się tranzystor przechodząc w stan przewodzenia i rozładowuje kondensator przez rB1. Gdy napięcie na emiterze osiągnie określoną wartość UE, to emiter przestaje przewodzić i tranzystor wraca do stanu blokowania - i cykl się powtarza. Okres relaksacji generatora wynosi

(7.8)

Dla typowej wartości η=0.63 powyższą zależność można uprościć do postaci

T=R1C1 (7.9)

Przebiegi napięć na kondensatorze C1 oraz na rezystancji rB1 należy przeszkicować z ekranu oscyloskopu oraz obliczyć ich okres i porównać z wartością obliczoną według (7.9). Na podstawie przebiegu napięcia na kondensatorze wyznaczamy wartości UB0 oraz UV.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Cz໩ 11 Wzmacniacz Emiterowy Doc
Cz໩ 14 Z czowe Tranzystory Polowe Doc
Cz໩ 12 Parametry Impulsowe Tranzystorˇw Doc
Cz໩ 13 Rezystancja Termiczna Tranzystorˇw Doc
Cz໩ 10 Parametry Ma osygna owe Tranzystorˇw Doc
Cz໩ 15 Tranzystory Polowe Mos Doc
Generator relaksacyjna na tranzystorze jednozłączowym DOC
Cz໩ 8 Tyrystory I Triaki Doc
Cz໩ 3 Parametry Ma osygna owe Diody
Cz໩ 6 Parametry Termiczne Diody
Cz໩ 5 Diody Specjalne
Tranzystor w układzie wzmacniacza1.DOC, Politechnika opolska wydzia? automatyki i elektrotechniki
F-2 Tranzystor jednozłączowy
Cz໩ 2 PojemnoťŠ Z cza P+ N
Cz໩ 4 ?ekty Dynamiczne Prze czania Diody
Cz໩ 1 Charakterystyki Sta opr dowe Diody P+ N
Tranzystory bipolarny i unipolarny2 doc
Tranzystory bipolarny i unipolarny doc

więcej podobnych podstron