1
Podstawy Technologii Komputerowych
Podstawy Technologii Komputerowych
dr in
dr in
ż
ż
. Krzysztof MURAWSKI
. Krzysztof MURAWSKI
mgr in
mgr in
ż
ż
. J
. J
ó
ó
zef TURCZYN
zef TURCZYN
Tel.: 6837752,
Tel.: 6837752,
E
E
-
-
:
:
k.murawski@ita.wat.edu.pl
k.murawski@ita.wat.edu.pl
2
Uk
Uk
ł
ł
ady pami
ady pami
ę
ę
ciowe
ciowe
statyczne i dynamiczne
statyczne i dynamiczne
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
3
Rodzaje pami
Rodzaje pami
ę
ę
ci
ci
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Pami
Pami
ę
ę
ci
ci
p
p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowe
przewodnikowe
magnetyczne
magnetyczne
magnetooptyczne i optyczne
magnetooptyczne i optyczne
4
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Podzia
Podzia
ł
ł
pami
pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowych
przewodnikowych
>>
>>
dokonany pod wzgl
dokonany pod wzgl
ę
ę
dem metody kodowania informacji
dem metody kodowania informacji
<<
<<
analogowe
analogowe
Pami
Pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowe
przewodnikowe
cyfrowe
cyfrowe
informacja
informacja
kodowana
kodowana
w postaci s
w postaci s
ł
ł
ó
ó
w binarnych
w binarnych
informacja
informacja
kodowana
kodowana
w postaci poziom
w postaci poziom
ó
ó
w napi
w napi
ę
ę
cia
cia
5
Cechy pami
Cechy pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowych
przewodnikowych
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Wybrane cechy pami
Wybrane cechy pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowych:
przewodnikowych:
pojemno
pojemno
ść
ść
pami
pami
ę
ę
ci
ci
,
,
wyra
wyra
ż
ż
. w bitach lub bajtach;
. w bitach lub bajtach;
trwa
trwa
ł
ł
o
o
ść
ść
przechowywania informacji
przechowywania informacji
;
;
reakcja na od
reakcja na od
łą
łą
czenie
czenie
ź
ź
r
r
ó
ó
d
d
ł
ł
a zasilania;
a zasilania;
spos
spos
ó
ó
b adresowania
b adresowania
kom
kom
ó
ó
rek pami
rek pami
ę
ę
ci;
ci;
rodzaj dost
rodzaj dost
ę
ę
pu
pu
do przechowywanej informacji;
do przechowywanej informacji;
czas dost
czas dost
ę
ę
pu
pu
–
–
czas potrzebny do wpisania lub
czas potrzebny do wpisania lub
odczytania jednego s
odczytania jednego s
ł
ł
owa informacji;
owa informacji;
czas cyklu
czas cyklu
–
–
min. przedzia
min. przedzia
ł
ł
czasu pomi
czasu pomi
ę
ę
dzy
dzy
dwoma kolejnymi odwo
dwoma kolejnymi odwo
ł
ł
aniami do pami
aniami do pami
ę
ę
ci.
ci.
6
Pami
Pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowe cyfrowe
przewodnikowe cyfrowe
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
SRAM:
SRAM:
SRAM
SRAM
-
-
Static
Static
RAM,
RAM,
-
-
Synchronous
Synchronous
SRAM,
SRAM,
-
-
Asynchronous
Asynchronous
SRAM;
SRAM;
CAM
CAM
-
-
Contact
Contact
Addressable
Addressable
Memory
Memory
;
;
RADHard
RADHard
-
-
Radianion
Radianion
Hardened
Hardened
–
–
accept
accept
a
a
higher
higher
dose
dose
of
of
radiation
radiation
without
without
failure
failure
.
.
UtRAM
UtRAM
-
-
Uni
Uni
-
-
Transistor
Transistor
Random
Random
Access
Access
Memory
Memory
;
;
MCP
MCP
Mem
Mem
.
.
-
-
Multi
Multi
Chip
Chip
Package
Package
Memory
Memory
;
;
7
Pami
Pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowe cyfrowe
przewodnikowe cyfrowe
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
DRAM:
DRAM:
FPM
FPM
-
-
Fast
Fast
Page
Page
Mode
Mode
;
;
EDO
EDO
-
-
Extended
Extended
Data
Data
Out
Out
;
;
BEDO
BEDO
-
-
Burst
Burst
EDO;
EDO;
SDRAM
SDRAM
-
-
Synchronouse
Synchronouse
DRAM;
DRAM;
ESDRAM
ESDRAM
-
-
Enhanced
Enhanced
Synchronous
Synchronous
DRAM;
DRAM;
RDRAM
RDRAM
-
-
Rambus
Rambus
DRAM;
DRAM;
SLDRAM
SLDRAM
-
-
Synchronous
Synchronous
–
–
Link
Link
DRAM;
DRAM;
DDR SDRAM
DDR SDRAM
-
-
Double
Double
Data
Data
Rate
Rate
SDRAM
SDRAM
(
(
Dual
Dual
Edge
Edge
Rate
Rate
).
).
8
Pami
Pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowe cyfrowe
przewodnikowe cyfrowe
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
EPROM:
EPROM:
MROM
MROM
-
-
Mask
Mask
ROM;
ROM;
OTPROM
OTPROM
-
-
One
One
Time
Time
Programable
Programable
PROM.
PROM.
PROM
PROM
-
-
Programable
Programable
ROM;
ROM;
EPROM
EPROM
-
-
Erasable
Erasable
PROM;
PROM;
EEPROM
EEPROM
-
-
Electrically
Electrically
Erasable
Erasable
PROM;
PROM;
(E
(E
2
2
PROM)
PROM)
9
Pami
Pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowe cyfrowe
przewodnikowe cyfrowe
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Inne:
Inne:
SGRAM
SGRAM
-
-
Synchronous
Synchronous
Graphic
Graphic
RAM;
RAM;
VRAM
VRAM
-
-
Video RAM (
Video RAM (
Dual
Dual
Ported
Ported
);
);
PBRAM
PBRAM
-
-
Pipelined
Pipelined
Burst
Burst
RAM;
RAM;
FCRAM
FCRAM
-
-
Fast
Fast
Cycle
Cycle
RAM;
RAM;
FLASH
FLASH
-
-
„
„
pami
pami
ęć
ęć
b
b
ł
ł
yskowa
yskowa
”
”
;
;
FRAM
FRAM
-
-
Feroelectric
Feroelectric
RAM (
RAM (
non
non
-
-
volatile
volatile
RAM
RAM
);
);
NVRAM
NVRAM
-
-
Non
Non
-
-
volatile
volatile
RAM;
RAM;
NOR RWW FLASH
NOR RWW FLASH
(Intel 1988 rok);
(Intel 1988 rok);
NAND RWW FLASH
NAND RWW FLASH
(
(
Samsung
Samsung
1989 rok).
1989 rok).
10
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Dost
Dost
ę
ę
p do informacji
p do informacji
Wprowadzanie
informacji
Wyprowadzanie
informacji
równoległe
równoległe
szeregowe
równoległe
szeregowe
szeregowe
równoległe
szeregowe
11
Pami
Pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowe
przewodnikowe
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Przedmiotem dalszego zainteresowania b
Przedmiotem dalszego zainteresowania b
ę
ę
d
d
ą
ą
pami
pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowe cyfrowe
przewodnikowe cyfrowe
, a wi
, a wi
ę
ę
c
c
takie, kt
takie, kt
ó
ó
re
re
zapami
zapami
ę
ę
tuj
tuj
ą
ą
informacj
informacj
ę
ę
w postaci
w postaci
s
s
ł
ł
ó
ó
w binarnych
w binarnych
.
.
12
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
ROM
ROM
Pami
Pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowe
przewodnikowe
RAM
RAM
>>
>>
dokonany pod wzgl
dokonany pod wzgl
ę
ę
dem ulotno
dem ulotno
ś
ś
ci informacji
ci informacji
<<
<<
Podzia
Podzia
ł
ł
pami
pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowych
przewodnikowych
(
(
ang.
ang.
Random
Random
Access
Access
Memory
Memory
)
)
(
(
ang.
ang.
Read
Read
Only
Only
Memory
Memory
)
)
Mo
Mo
ż
ż
liwe operacje zapisu
liwe operacje zapisu
i odczytu do/z pami
i odczytu do/z pami
ę
ę
ci.
ci.
Tylko odczyt pami
Tylko odczyt pami
ę
ę
ci.
ci.
Pami
Pami
ę
ę
ci o dost
ci o dost
ę
ę
pie swobodnym.
pie swobodnym.
13
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Podzia
Podzia
ł
ł
pami
pami
ę
ę
ci RAM
ci RAM
Dynamiczna (DRAM)
Dynamiczna (DRAM)
ang.
ang.
Dynamic
Dynamic
RAM
RAM
Pami
Pami
ęć
ęć
RAM
RAM
Statyczna (SRAM)
Statyczna (SRAM)
ang.
ang.
Static
Static
RAM
RAM
NVRAM
NVRAM
ang.
ang.
NonVolatile
NonVolatile
RAM
RAM
14
Pami
Pami
ęć
ęć
SRAM
SRAM
a
a
DRAM
DRAM
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
pami
pami
ęć
ęć
SRAM
SRAM
–
–
pami
pami
ęć
ęć
statyczna RAM
statyczna RAM
–
–
nie traci
nie traci
informacji w funkcji czasu;
informacji w funkcji czasu;
pami
pami
ęć
ęć
DRAM
DRAM
–
–
pami
pami
ęć
ęć
dynamiczna RAM
dynamiczna RAM
–
–
traci
traci
informacj
informacj
ę
ę
w funkcji czasu, wymaga od
w funkcji czasu, wymaga od
ś
ś
wie
wie
ż
ż
ania.
ania.
Zak
Zak
ł
ł
adaj
adaj
ą
ą
c,
c,
ż
ż
e do uk
e do uk
ł
ł
adu do
adu do
łą
łą
czone jest napi
czone jest napi
ę
ę
cie
cie
zasilania:
zasilania:
Klasyczne pami
Klasyczne pami
ę
ę
ci
ci
RAM
RAM
i
i
DRAM
DRAM
trac
trac
ą
ą
informacj
informacj
ę
ę
po
po
od
od
łą
łą
czeniu napi
czeniu napi
ę
ę
cia zasilania
cia zasilania
.
.
15
Pami
Pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowe
przewodnikowe
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
W
W
pami
pami
ę
ę
ciach p
ciach p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowych cyfrowych
przewodnikowych cyfrowych
jedna
jedna
kom
kom
ó
ó
rka pami
rka pami
ę
ę
taj
taj
ą
ą
ca
ca
zapami
zapami
ę
ę
tuje (na og
tuje (na og
ó
ó
ł
ł
)
)
jeden bit informacji
jeden bit informacji
.
.
16
Budowa kom
Budowa kom
ó
ó
rki pami
rki pami
ę
ę
ci SRAM
ci SRAM
1
R
2
R
3.5V
CC
V
=
0.5V
EE
V
=
3
R
4
R
u
K
1
T
2
T
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Kom
Kom
ó
ó
rka pami
rka pami
ę
ę
ci bipolarnej RAM
ci bipolarnej RAM
Kom
Kom
ó
ó
rka pami
rka pami
ę
ę
ci CMOS/RAM
ci CMOS/RAM
Linia
Linia
s
s
ł
ł
owa
owa
Para linii bitu
Para linii bitu
LB
L B
Wzmacniacz
Wzmacniacz
odczytu
odczytu
0.3V
0.3V
3V
3V
Wyb
Wyb
ó
ó
r
r
Brak
Brak
wyboru
wyboru
przerzutnik SR
przerzutnik SR
„
„
1
1
”
”
„
„
0
0
”
”
„
„
1
1
”
”
1
R
2
R
DD
V
u
K
1
T
2
T
5
T
6
T
u
K
u
K
Para linii bitu
Para linii bitu
LB
L B
Wyb
Wyb
ó
ó
r kolumny
r kolumny
Linia
Linia
s
s
ł
ł
owa
owa
Wzm
Wzm
.
.
odczytu
odczytu
Wzm
Wzm
. zap.
. zap.
Linia
Linia
bitu
bitu
Linia
Linia
bitu
bitu
„
„
1
1
”
”
„
„
0
0
”
”
in
D
in
D
o u t
D
17
Budowa kom
Budowa kom
ó
ó
rki pami
rki pami
ę
ę
ci SRAM
ci SRAM
1
R
2
R
3.5V
CC
V
=
0.5V
EE
V
=
3
R
4
R
u
K
1
T
2
T
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Linia s
Linia s
ł
ł
owa
owa
Para linii bitu
Para linii bitu
LB
L B
Wzmacniacz odczytu
Wzmacniacz odczytu
0.3V
0.3V
3V
3V
Wyb
Wyb
ó
ó
r
r
Brak
Brak
wyboru
wyboru
przerzutnik SR
przerzutnik SR
„
„
1
1
”
”
„
„
0
0
”
”
„
„
1
1
”
”
Linia bitu
Linia bitu
OE
W E
in
D
out
D
Linia bitu
Linia bitu
18
Pami
Pami
ęć
ęć
SRAM
SRAM
–
–
HM62256B
HM62256B
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
A0
A0
÷
÷
A14
A14
–
–
l. adresowe;
l. adresowe;
I/O0
I/O0
÷
÷
I/O7
I/O7
–
–
we/wy;
we/wy;
CS
CS
–
–
wyb
wyb
ó
ó
r uk
r uk
ł
ł
adu;
adu;
WE
WE
–
–
zezw
zezw
. zapisu;
. zapisu;
OE
OE
–
–
zezw
zezw
. odczytu;
. odczytu;
NC
NC
–
–
niepod
niepod
łą
łą
czony
czony
;
;
V
V
CC
CC
–
–
zasilanie;
zasilanie;
V
V
SS
SS
–
–
masa.
masa.
Oznaczenie ko
Oznaczenie ko
ń
ń
c
c
ó
ó
wek:
wek:
19
Odczyt informacji z pami
Odczyt informacji z pami
ę
ę
ci
ci
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
>>
>>
HM62256B
HM62256B
<<
<<
20
Odczyt informacji z pami
Odczyt informacji z pami
ę
ę
ci
ci
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
>>
>>
HM62256B
HM62256B
<<
<<
21
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Zapis informacji do pami
Zapis informacji do pami
ę
ę
ci
ci
22
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Zapis informacji do pami
Zapis informacji do pami
ę
ę
ci
ci
23
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Rozk
Rozk
ł
ł
ad wyprowadze
ad wyprowadze
ń
ń
24
T
Budowa kom
Budowa kom
ó
ó
rki pami
rki pami
ę
ę
ci DRAM
ci DRAM
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Linia wiersza
Linia wiersza
C
C
S
S
Linia kolumny 2 ( bitu)
Linia kolumny 2 ( bitu)
T
T
1
1
U
U
DD
DD
C
C
L
L
Linia kolumny 1 ( bitu)
Linia kolumny 1 ( bitu)
T
T
2
2
I
I
1
1
I
I
2
2
C
C
S
S
–
–
kondensator informacyjny,
kondensator informacyjny,
typowo 40
typowo 40
•
•
10
10
-
-
15
15
F
F
;
;
C
C
L
L
–
–
pojemno
pojemno
ść
ść
linii bitowej;
linii bitowej;
10
L
S
C
C
≈
Φ
Φ
1
1
→
→
T
T
1
1
zwiera I
zwiera I
1
1
;
;
I
I
1
1
pracuje
pracuje
w zakresie liniowym jako
w zakresie liniowym jako
wzm
wzm
.
.
napi
napi
ę
ę
ciowy
ciowy
Φ
Φ
2
2
→
→
wyb
wyb
ó
ó
r linii wiersza;
r linii wiersza;
Φ
Φ
3
3
→
→
T
T
2
2
zamyka p
zamyka p
ę
ę
tl
tl
ę
ę
„
„
+
+
”
”
sprz
sprz
.
.
zwrotnego tworz
zwrotnego tworz
ą
ą
c przerzutnik
c przerzutnik
z I
z I
1
1
i I
i I
2
2
.
.
T1
T1
–
–
W
W
Ł
Ł
.
.
wzmacniacze
wzmacniacze
T2
T2
–
–
W
W
Ł
Ł
.
.
przerzutnik
przerzutnik
Fazy pracy kom. pam. DRAM:
Fazy pracy kom. pam. DRAM:
25
Budowa kom
Budowa kom
ó
ó
rki pami
rki pami
ę
ę
ci DRAM
ci DRAM
P
φ
2
DD
V
DD
V
P
φ
2
DD
V
Y
φ
IN
D
OUT
D
I O
I O
SAR
WE
DD
V
0.1 0.2V
u
Δ =
÷
Q
40
M
C
fF
≈
Q
R
C
R
Q
C
R
u
=
M
Q
C
M
u
=
DD
V
L
W
0
n
A
A
CAS
⎧
⎪
⎪
⎨
⎪
⎪⎩
M
0
n
A
A
RAS
⎫
⎪
⎪
⎬
⎪
⎪⎭
M
D
D
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
P
C
P
C
Wst
Wst
ę
ę
p.
p.
ł
ł
adow
adow
. C
. C
P
P
i
i
wyr
wyr
ó
ó
wn
wn
.
.
potencja
potencja
ł
ł
ó
ó
w na liniach D i D.
w na liniach D i D.
Reference
Reference
(
(
Dummy
Dummy
)
)
cell
cell
.
.
(Kom
(Kom
ó
ó
rka referencyjna)
rka referencyjna)
Kom
Kom
ó
ó
rka pami
rka pami
ę
ę
taj
taj
ą
ą
ca.
ca.
Sense
Sense
–
–
Amplify
Amplify
–
–
Restore
Restore
(wzmacniacz zintegrowany z przerzutnikiem)
(wzmacniacz zintegrowany z przerzutnikiem)
S
C
S
C
15
1
10
fF
F
−
=
(
)
Y
yield odczyt
φ
−
P
precharge
φ
−
P
φ
L
W
RAS
Y
φ
CAS
ładowanie linii
odczyt
odtwarzanie
26
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Pami
Pami
ęć
ęć
DRAM
DRAM
–
–
MCM4116B (16Kx1)
MCM4116B (16Kx1)
27
Schemat pogl
Schemat pogl
ą
ą
dowy
dowy
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
28
Odczyt informacji z pami
Odczyt informacji z pami
ę
ę
ci
ci
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
29
Odczyt trybie stronicowym
Odczyt trybie stronicowym
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
30
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Zapis informacji do pami
Zapis informacji do pami
ę
ę
ci
ci
31
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Zapis w trybie stronicowym
Zapis w trybie stronicowym
32
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Jednoczesny zapis i odczyt do/z pami
Jednoczesny zapis i odczyt do/z pami
ę
ę
ci
ci
33
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Od
Od
ś
ś
wie
wie
ż
ż
anie pami
anie pami
ę
ę
ci typu
ci typu
„
„
tylko RAS
tylko RAS
”
”
Adres wiersza
Adres wiersza
34
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Podzia
Podzia
ł
ł
pami
pami
ę
ę
ci ROM
ci ROM
Pami
Pami
ęć
ęć
ROM
ROM
MROM
MROM
ang.
ang.
Mask
Mask
ROM
ROM
OTPROM
OTPROM
ang. One
ang. One
Time
Time
Programable
Programable
ROM
ROM
PROM
PROM
ang.
ang.
Programable
Programable
ROM
ROM
EPROM
EPROM
ang.
ang.
Eraseable
Eraseable
Programable
Programable
ROM
ROM
EEPROM
EEPROM
ang.
ang.
Electrical
Electrical
Eraseable
Eraseable
Programable
Programable
ROM
ROM
FLASH
FLASH
„
„
pami
pami
ęć
ęć
b
b
ł
ł
yskowa
yskowa
”
”
35
Budowa kom
Budowa kom
ó
ó
rki pami
rki pami
ę
ę
ci PROM
ci PROM
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
S
S
ł
ł
owo 0
owo 0
S
S
ł
ł
owo N
owo N
-
-
1
1
bit 0
bit 0
bit 1
bit 1
bit m
bit m
-
-
1
1
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
EN
EN
D
D
0
0
D
D
1
1
D
D
m
m
-
-
1
1
Otwarty
Otwarty
kolektor
kolektor
T
T
1
1
T
T
2
2
T
T
3
3
R
R
B
B
R
R
C
C
R
R
E
E
R
R
Z
Z
7V
7V
U
U
CC
CC
U
U
CC
CC
U
U
CC
CC
36
Budowa kom
Budowa kom
ó
ó
rki pami
rki pami
ę
ę
ci EPROM
ci EPROM
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
>>
>>
struktura FAMOS
struktura FAMOS
–
–
Floating
Floating
Gate
Gate
Avalanche
Avalanche
-
-
injected
injected
MOS
MOS
<<
<<
G
G
D
D
S
S
G
G
D
D
S
S
1 m
μ
Obszar implantowany P
Obszar implantowany P
n+
n+
n+
n+
pod
pod
ł
ł
o
o
ż
ż
e p
e p
SiO
SiO
2
2
Bramka steruj
Bramka steruj
ą
ą
ca
ca
Bramka p
Bramka p
ł
ł
ywaj
ywaj
ą
ą
ca
ca
(zagrzebana)
(zagrzebana)
Dane na rok 1993. Struktura opracowana w firmie Intel, D.
Dane na rok 1993. Struktura opracowana w firmie Intel, D.
Frofman
Frofman
–
–
Bentchkowsky
Bentchkowsky
, 1971rok.
, 1971rok.
37
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Pami
Pami
ęć
ęć
EPROM
EPROM
–
–
TMS2708 (1Kx8)
TMS2708 (1Kx8)
A0
A0
÷
÷
A9
A9
–
–
adres;
adres;
Q1
Q1
÷
÷
Q8
Q8
–
–
we/wy;
we/wy;
CS(PE)
CS(PE)
–
–
wyb
wyb
ó
ó
r uk
r uk
ł
ł
adu
adu
→
→
„
„
0
0
”
”
,
,
zezw
zezw
. programowania = 12V;
. programowania = 12V;
V
V
BB
BB
–
–
zasilanie (
zasilanie (
-
-
5V);
5V);
Program > V
Program > V
CC
CC
→
→
programowanie;
programowanie;
V
V
CC
CC
–
–
zasilanie (+5V);
zasilanie (+5V);
V
V
DD
DD
–
–
napi
napi
ę
ę
cie program. (+12V);
cie program. (+12V);
V
V
SS
SS
–
–
masa (0V).
masa (0V).
Oznaczenie ko
Oznaczenie ko
ń
ń
c
c
ó
ó
wek:
wek:
38
Schemat pogl
Schemat pogl
ą
ą
dowy
dowy
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Wg
Wg
. HN462532
. HN462532
–
–
4096 s
4096 s
ł
ł
ó
ó
w x 8 bit
w x 8 bit
ó
ó
w, kasowany promieniami UV PROM,
w, kasowany promieniami UV PROM,
http://
http://
www.jrok.com
www.jrok.com
/
/
datasheet
datasheet
/HN2532.pdf
/HN2532.pdf
39
Odczyt informacji z pami
Odczyt informacji z pami
ę
ę
ci
ci
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
40
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Programowanie pami
Programowanie pami
ę
ę
ci
ci
41
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Obudowa pami
Obudowa pami
ę
ę
ci EPROM
ci EPROM
42
Pami
Pami
ę
ę
ci p
ci p
ó
ó
ł
ł
przewodnikowe
przewodnikowe
©
©
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Zainteresowanych odsy
Zainteresowanych odsy
ł
ł
amy na strony nast
amy na strony nast
ę
ę
puj
puj
ą
ą
cych producent
cych producent
ó
ó
w:
w:
Atmel
Atmel
:
:
www.atmel.com
www.atmel.com
/
/
products
products
/
/
product_selector.asp
product_selector.asp
Catalyst
Catalyst
Semic
Semic
., INC:
., INC:
www.catsemi.com
www.catsemi.com
/
/
datasheets
datasheets
/
/
memory.html
memory.html
Cypress
Cypress
:
:
www.in
www.in
-
-
system.com
system.com
/
/
support
support
/
/
how_to_buy.cfm
how_to_buy.cfm
Dallas
Dallas
-
-
Maxim
Maxim
Semiconductor
Semiconductor
:
:
www.maxim
www.maxim
-
-
ic.com
ic.com
/
/
Memory.cfm
Memory.cfm
Freescale
Freescale
Semiconductor
Semiconductor
:
:
www.freescale.com
www.freescale.com
/
/
webapp
webapp
/
/
sps
sps
/
/
site
site
/homepage.jsp?nodeId=015424
/homepage.jsp?nodeId=015424
Intersil
Intersil
:
:
www.intersil.com
www.intersil.com
/
/
product_tree
product_tree
/product_tree.asp?x=10762
/product_tree.asp?x=10762
PMC:
PMC:
www.pmcflash.com/products/standard.cfm
www.pmcflash.com/products/standard.cfm
Samsung
Samsung
:
:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/
www.samsung.com/Products/Semiconductor/
Toshiba:
Toshiba:
www.toshiba.com
www.toshiba.com
/
/
taec
taec
/
/
cgi
cgi
-
-
bin
bin
/display.cgi?table=Family&FamilyID=7
/display.cgi?table=Family&FamilyID=7
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
09 PAO
download Zarządzanie Produkcja Archiwum w 09 pomiar pracy [ www potrzebujegotowki pl ]
09 AIDSid 7746 ppt
09 Architektura systemow rozproszonychid 8084 ppt
TOiZ 09
Wyklad 2 TM 07 03 09
09 Podstawy chirurgii onkologicznejid 7979 ppt
Wyklad 4 HP 2008 09
09 TERMOIZOLACJA SPOSOBY DOCIEPLEŃ
09 Nadciśnienie tętnicze
wyk1 09 materiał
Niewydolność krążenia 09
09 Tydzień zwykły, 09 środa
09 Choroba niedokrwienna sercaid 7754 ppt
TD 09
moj 2008 09
IU 09
więcej podobnych podstron