MISFET2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów


Charakterys. i parametry statyczne MISFET-ów

-Zakres nienasycenia (0<UDS.<UDssat)

ID= β[(Ug-UT)(UD-US)-(UD2- US2) / 2]

-Zakres nasycenia ID= (β /2)* (UGS-UT)2

ID nie zależy od UDS., zależy od UGS

Parametry statyczne

UT -nap.progowe- wart. UGS przy której ID = np. 1

BUGSS-nap. przebicia między bramką a podłożem

BUDSS-nap przeb.między dren a źródłem

IDSS-prąd nasycenia

IGSS-prąd upływu bramki przy zwarciu źródła i drenu

rDS.(ON)rezyst. statyczna między drenem a źródłem dla max pradu drenu

Modele statyczne

Praca nieliniowa dynamiczna

Praca z małymi sygnałami



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
MISFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
dioda laserowa, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
WARYSTOR, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MIS, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wpływ temp na złącze P-N, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fotorezystor, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
IZOLACJA, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wytwarzanie warst domieszkowych, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
HALLOTRONY, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gra2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny4, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Układy scalone warstwowe, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Fotoogniwo, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów

więcej podobnych podstron