DSCN1643

DSCN1643



50


], Podstawy procesów odlewniczych

Ze wzoru (1.27) wynika również, że zarodkowanie będą ułatwiać tylko te cząstki, których powierzchnie są dobrze zwilżalne przez ciekły metal (0 < 180").

Skuteczność zarodkotwórczego oddziaływania cząstki jest również funkcją dopasowania odległości międzypłaszczyznowych sieci krystalicznej w cząstce i zarodku powstającym na jej powierzchni. Łatwo przewidzieć, że katalityczne oddziaływanie cząstek jest tym większe, im mniejsze jest niedopasowanie sieci obu materiałów, tzn. im mniejsza jest różnica odległości międzypłaszczyznowych w obu materiałach, wyrażona w procentach odległości między-płaszczyznowej sieci zarodka. Z rysunku 1.36 wynika, że przechłodzenie wymagane do zainicjowania procesu zarodkowania rośnie ze stopniem niedopasowania sieci Q5j.

Częstość zarodkowania tj. liczba zarodków o wielkości nieco większej od krytycznej, powstających w jednostce objętości w ciągu jednej sekundy [l/(m3-s)j, jest opisana przybliżonym równaniem w postaci


(1.28)

albo heterogenicznego AG^, = AGI— f(ffk k — stała Boltzmanna.


gdzie: AG* — energia aktywacji procesu zarodkowania homogenicznego AGI_

Prndtodnntł, °c



Odlewanie

koawenrjtealne


<S3


Krzepnięcie

kierunkowe


<a


&



Rjwmek 137. Schemat mikrostruktury


”    »» w V ~v sapał


imrtoam Knowanego w chrrwpi biodrowych, uzyskiwanej przy odfcwanau towacjnsiliy oraz w »»ntdf»A


kienakowego odprowadzenia depta [2f]



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCN1653 60 I. Podstawy procesów odlewniczych y+grafit (układ równowagi stabilnej)
DSCN1663 70 /. Podstawy procesów odlewniczych proces zasilania przebiegać będzie łatwo, taki zaś rod
DSCN1606 U maW*j /. Podstawy procesów odlewniczych •    wlania roztopionego metalu do
DSCN1608 16 1. Podstawy procesów odlewniczych i wzroście kryształów, które mogą przybierać bardzo ró
DSCN1610 18 i. Podstawy procesów odlewniczych •    na płycie modelowej (tj. modelu pr
DSCN1614 22 /. Podstawy procesów odlewniczych Rymach 1.10. Dwugniazdowa kokila do wykonywania odlewó
DSCN1620 28 I. Podstawy procesów odlewniczych ścianki odlewu i miejsca doprowadzenia metalu do odlew
DSCN1622 30 /. Podstawy procesów odlewniczych towcgo, przekroje zaś wszystkich kanałów układu wlewow
DSCN1626 34 /. Podstawy procesów odlewniczych mają pewne cechy wspólne. Jedną z nich jest stosowanie
DSCN1628 36 /. Podstawy procesów odlewniczych Wymagane minimalne długości poszczególnych odcinków wl
DSCN1630 wlew /. Podstawy procesów odlewniczych Przykładowe, typowe wartości stosunku przekrojów
DSCN1636 44 /. Podstawy procesów odlewniczych Pizy ochładzaniu ciekłego metalu od temperatury zalewa
DSCN1647 54 /. Podstawy procesów odlewniczych Krystalizacja równowagowa występuje przy nieskończenie
DSCN1655 62 /. Podstawy procesów odlewniczych Podobną, choć nioco szerszą klasyfikaąję rodząjów graf
DSCN1661 68 1. Podstawy procesów odlewniczych zasilania różnią się istotnie dla obu tych grup materi
DSCN1671 78 /. Podstawy procesów odlewniczych dłużenie zasięgu działania jednego nadlewu, umieszczon
DSCN1673 80 f. Podstawy procesów odlewniczych nieniem atmosferycznym do wnętrza odlewu przez pory w
DSCN1694 100 I. Podstawy procesów odlewniczych W przedziale między temperaturą Ę a temperaturą T.bsO
DSCN1696 102 7. Podstawy procesów odlewniczych 1.43. Mechaniczne oddziaływania odlewu na formę metal

więcej podobnych podstron