il/i nnunzu uirwuuuw rumu alf nczrr stmpuwnycn
Pochodna względem R przy (X + Xg) = 0
d_ R =ti~R2 = (*, + *) (*,-*)
dR (R + Rg)2 (R + Rg)* (R + Rę)*
Po przyrównaniu licznika do zera przy założeniu Rg > 0 oraz R > 0 otrzymujemy drugi warunek
R = Rg (15.163)
Odbiornik jest dopasowany do źródła o napięciu źródłowym sinusoidalnym, gdy rezystancja odbiornika jest równa rezystancji wewnętrznej źródła, a reaktancja — równa reaktancji wewnętrznej źródła ze znakiem przeciwnym.
Sprawność wynosi wówczas wprawdzie tylko 50%, nie odgrywa to jednak większej roli, ponieważ dopasowanie stosuje się zwykle przy odbieraniu sygnałów' małej mocy, a zadanie polega na jak najlepszym ich wykorzystaniu.
Dopasowanie odbiornika do źródła można uzyskać również przy różnych wartościach rezystancji źródła i odbiornika. Przyjmijmy, że rezystancja źródła wynosi Rg, a rezystancja odbiornika R — nRg, przy czym « > 1. W celu dopasowania włączono równolegle do odbiornika kondensator o reaktancji ( — X2) a w szereg— cewkę o reaktancji Xu lub na odwrót ( + X2) i (—X!).
Impedancja całego układu dołączonego do zacisków a-b powinna mieć wartość
= R„
X2nRa
nRg-jX2
skąd po pomnożeniu obu stron równania przez (n2 R2g+X2) otrzymujemy jX,(n*Rl + XI)-jX2 nRg(nR0 + jX2) = Rg(n2R2 + X22) j (3% n2R2 + X1X22-X2 n2R]) + X\ nRg = R*n2 + RgX\
Z równości części rzeczywistych obu stron równania otrzymujemy
X2=~Ł.-Rg (15.164)
yn-l
zaś z przyrównania do zera części urojonej i po podstawieniu wyrażenia na X2 X i = -)/ n — T Rg (15.165)
Pytania
1. Co to są drgania wymuszone a co drgania swobodne ?
2. Na czym polega zjawisko rezonansu?
3. Opisać przebieg drgań swobodnych H’ obwodzie L, C. Dlaczego drgania swobodne w tym obwodzie mają it> praktyce przebieg drgań zanikających ? W jakich warunkach mogłyby się m-v-tworzyć drgania swobodne nie gasnące?
4. Na czym polega rezonans szeregowy w układzie R, L, C zasilanym napięciem sinusoidalnym ?
5. Jaki jest warunek rezonansu szeregowego przy większej liczbie elementów połączonych w szereg ?
j 6. Co nazywamy charakterystyką częstotliwościową obwodu R, L, C przy zasilaniu napięciem
sinusoidalnym. Narysować orientycyjnie charakterystyki I ■-■■■: f(a>) dla różnych wartości /(, > > R2 > Ri przy danej wartości skutecznej U.
7. Narysować orientacyjnie charakterystyki UL — f(oj) oraz Uc — f(to) przy danym napięciu
i skutecznym.
8. Czy maksima krzywych UL = f(ro) i Uc = f(<o) wypadają dokładnie przy częstotliwości rezonansowej ?
9. Co nazywamy pasmem przepuszczania gałęzi szeregowej R, L, C? Co to jest względne pasmo przepuszczania? Wyprowadzić wzór na pasmo przepuszczania.
10. Podać określenie dobroci cewki. Jak zmienia się dobroć cewki ze zmianą częstotliwości ?
11. Co nazywamy dopasowaniem odbiornika do rzeczywistego źródła o napięciu sinusoidalnym?
12. Wyprowadzić warunki jakie muszą spełniać parametry odbiornika dopasowanego do źródła o napięciu sinusoidalnym.
Rozpatrzmy zjawiska zachodzące w układzie złożonym z dwóch gałęzi równoległych, z których jedną stanowi odbiornik o charakterze indukcyjnym, który można zastąpić gałęzią szeregową, a drugą — idealny kondensator o pojemności C nastawialnej w dowolnych granicach (rys. 15.33a).
Rys. 15.33. Gałąź szeregowa R, L zbocznikowana kondensatorem C: a) układ połączeń; b, c, d) wykresy wektorowe przy różnych wartościach prądu w kondensatorze
Na rys. 15.33b, c, d przedstawiono wykresy wektorowe w trzech typowych przypadkach. Jako wektor podstawowy przyjęto U w osi rzeczywistej. Wektor
prądu h jest przesunięty względem U wstecz o kąt <p = arc tg - — . Wektor prądu /2
jest przesunięty względem U w przód o 90°, przy czym jego wartość skuteczna /2 = o CU jest proporcjonalna do pojemności C. Rozkładając prąd h na składowe, czynną lczl i bierną Ibl stwierdzamy, że jego składowa bierna jest przesunięta w fazie o 180° względem prądu /2, który ją w mniejszym lub większym stopniu kompensuje.
449
29 Podstawy elektrotechniki