DSCN0437 (Large)

24 2. Zasady elektronicznego sterowania silników. mUrfiś

0.5 do 5 A. Stosuje się w nich tranzystory mocy bipolarne lub MOS szych konstrukcjach zdecydowanie dominują MOSFETT-y.

Mostki wysokonapięciowe mogą pracować z napięciami do \OQO V i I kilkudziesięciu amperów. w przemysłowych falownikach mocy spotyka układy na prąd powyżej 100 A. Do budowy mostków wysokonapięciowy^^** się tranzystorów MOSFET oraz IGBT.

BY*

g.11 .*

Dla niewtajemniczonych — parę słów na temat 1GBT. Tranzystor IGBT (Ib^ł Gale Bipolar Transistor) jest tranzystorem bipolarnym z izolowaną cyficznym „połączeniem” tranzystora MOSFET i bipolarnego. Jest on steto*^ napięciowo, charakteryzuje się wysoką impedancją wejściową, niskim nąń^ nasycenia U_cesav oraz dużą szybkością przełączania (co powoduje mniejsi® ^ mocy przy przełączaniu). Tranzystory IGBT mają dopuszczalne prądy Vo\cVaoi^ kilkudziesięciu do 400 A i napięcia maksymalne U_cc = 600...1200 V. Duży ^ tranzystorów IGBT oferują np. firmy International Rectifier oraz 1XVS.

2.3.2. Sterowanie mostka H

Sterowanie mostka H z wyjść cyfrowych wymaga rozbudowanych układów ę*. średniczących. O ile dolne tranzystory można wysterować metodami w rozdziale 2.2.4. to znacznie trudniej jest z górnymi tranzystorami mostka, rraaą one w układzie wtórniku emiterowego (źródłowego) i dła pełnego wysterowała muszą mieć na bazie (bramce) napięcie wyższe od napięcia zasilania VJ_r celu niezbędny jest układ przesuwania poziomu napięcia oraz dodatkowy o napięciu wyższym niż U_z. Sterownik musi być tak skonstruowany, aby zapGWI prawidłowe sterowanie górnego tranzystora w sytuacji, gdy potencjał bazy jest „pływający" względem masy. Zadanie staje się jeszcze trudniejsze, g'f*S ma pracować w falowniku — z napięciem \J₇ ok. 300 V \ub wyższym.

Rys. 2.10. Schemat mostka H malej mocy zintegrowanego ze sterownikiem w układzie